[发明专利]一种原位有线晶圆薄膜温度传感器在审
申请号: | 202210786821.7 | 申请日: | 2022-07-04 |
公开(公告)号: | CN115290214A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 夏子奂 | 申请(专利权)人: | 上海集迦电子科技有限公司 |
主分类号: | G01K13/00 | 分类号: | G01K13/00;G01K1/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201206 上海市浦东新区金港路56号,金沪*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原位 有线 薄膜 温度传感器 | ||
本发明提供一种原位晶圆薄膜温度传感器,用于测量晶圆片(1)的温度,其特征在于,至少包括薄膜温度传感器(2)、薄膜引线(3)以及引线,所述薄膜温度传感器(2)连接所述薄膜引线(3),所述薄膜引线(3)连接所述引线,至少所述薄膜温度传感器(2)、薄膜引线(3)被设置在所述晶圆片(1)上。本发明提供的传感器整体贴合在晶圆上,固定牢靠,不会有现有晶圆测温传感器的引线晃动现象。
技术领域
本发明属于半导体设备领域,具体地属于半导体晶圆检测和温度测量技术领域,涉及一种晶圆温度传感器,特别涉及一种原位有线晶圆薄膜温度传感器,可用于测量真空腔室内的半导体加工机台的温度分布。
背景技术
在半导体加工制造过程中,例如光刻(Litho),干法刻蚀(Dryetch),离子注入(Implant),掺杂(Diffusion),剥离(Dry strip),清洗(Wet clean),光掩膜(Mask),化学气相沉积(CVD),物理气相沉积(PVD),化学机械抛光(CMP)等工艺过程,几乎所有的工艺步骤都需要严格的温度测量和控制。
原位晶圆测温传感器(In situ wafer temperature sensor)是芯片加工制造过程中用来在实际的工作环境中,包括反应腔体实际工作过程中,对温度等物理量进行定时、定量和精确地测量,是半导体设备制造和半导体生产过程中不可或缺系统标定工具。
现有的原位有线晶圆测温传感器如专利US6190040和US6915589中所述,包含晶圆上的温度传感器,连接引线,引线固定件,真空贯通带,接口。温度传感器如热电偶,热电阻,作为测温元件或埋入晶圆上的盲孔,或直接通过耐高温胶黏剂粘在晶圆上。每个温度传感器均需独立的引线引出,并在晶圆的一端由一金属固定件压接在晶圆上。传感器的引线纯手工制作,在测温点数较多的情况下,制作费时,且引线容易互相交叠。引线两端固定而中间悬空,易晃动,在使用诸如热辐射加温的工艺过程中,若引线遮挡测温点会对测温的准确性造成极大影响。根据半导体加工制造的生产工艺要求,原位晶圆测温传感器会经受高温或低温处理,粘贴在晶圆上的胶黏剂容易脱落,温度传感器的粘接强度和引线的抗拉拔强度较差,容易在使用时被人为拉拽脱落。
针对现有原位有线晶圆测温传感器存在的质量问题、成本问题,需要提供一种全新的原位有线晶圆测温传感器。
发明内容
为解决现有技术中原位有线晶圆测温传感器的质量问题,本发明提供了一种新型的原位有线晶圆测温传感器,其用于测量晶圆片1的温度,其特征在于,至少包括薄膜温度传感器2、薄膜引线3以及引线,所述薄膜温度传感器2连接所述薄膜引线3,所述薄膜引线3连接所述引线,至少所述薄膜温度传感器2、薄膜引线3被设置在所述晶圆片1上。
优选地,至少所述薄膜温度传感器2、薄膜引线3被设置在所述晶圆片1上的凹槽内。
优选地,所述引线的一部分被设置在所述晶圆片1上的凹槽内,所述引线的另一端伸出所述晶圆片1。
优选地,至少所述凹槽的一部分覆盖有盖片。
优选地,所述盖片的厚度比所述凹槽的深度小。
优选地,所述盖片上覆盖有高温胶,用于辅助固定所述盖片。
优选地,所述盖片采用与所述晶圆片1相同的材料。
优选地,所述晶圆片1上的凹槽采用如下方式中的任一种生成:
-干法刻蚀;
-湿法刻蚀;
-激光开槽;或
-精密机械加工工艺。
优选地,本发明提供的传感器还包括连接器4,所述薄膜引线3连接所述连接器4,所述连接器4连接所述引线。
优选地,所述薄膜温度传感器2为热电偶或热电阻。
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