[发明专利]陶瓷电子组件在审

专利信息
申请号: 202210784801.6 申请日: 2022-06-29
公开(公告)号: CN116525296A 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 郑汉胜;安佳英 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 曹志博;赵晓旋
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 电子 组件
【权利要求书】:

1.一种陶瓷电子组件,包括:

主体,包括介电层和内电极;以及

外电极,设置在所述主体上并且连接到所述内电极,

其中,所述介电层包括多个介电晶粒,所述介电层的每1μm的单位厚度的介电晶粒的平均数量为8或更大,并且td为0.5μm或更小,td是所述介电层中的至少一个介电层的平均厚度。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件,其中,0.15μmtd。

3.根据权利要求2所述的陶瓷电子组件,其中,所述主体包括在第一方向上交替设置的所述介电层和所述内电极,并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面,

所述外电极分别设置在所述第三表面和所述第四表面上,并且

所述陶瓷电子组件在所述第二方向上的最大尺寸为1.76mm或更小,并且所述陶瓷电子组件在所述第三方向上的最大尺寸为0.88mm或更小。

4.根据权利要求3所述的陶瓷电子组件,其中,td/te≤1.0,te是所述内电极中的至少一个内电极的平均厚度。

5.根据权利要求4所述的陶瓷电子组件,其中,te为0.6μm或更小。

6.根据权利要求5所述的陶瓷电子组件,其中,每单位体积电容为100μF/mm3或更大。

7.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件,其中,所述介电晶粒的平均粒径为125nm或更小。

8.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件,其中,td/te≤1.0,te是所述内电极中的至少一个内电极的平均厚度。

9.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件,其中,在所述多个介电晶粒的粒径的累积分布中,2≤D99/D50≤3且2≤D50/D1≤3,其中,D1是累积分布百分数为1%时对应粒径的值,D50是累积分布百分数为50%时对应粒径的值,并且D99是累积分布百分数为99%时对应粒径的值。

10.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件,其中,所述介电层使用多个介电粉末形成,并且所述多个介电粉末的平均粒径为100nm或更小。

11.根据权利要求10所述的陶瓷电子组件,其中,在所述介电粉末的粒径的累积分布中,2D90a/D50a3且2D50a/D10a3,其中,D10a是累积分布百分数为10%时对应粒径的值,D50a是累积分布百分数为50%时对应粒径的值,并且D90a是累积分布百分数为90%时对应粒径的值。

12.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件,其中,所述主体包括在第一方向上交替设置的所述介电层和所述内电极,并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面,

所述外电极分别设置在所述第三表面和所述第四表面上,并且

所述陶瓷电子组件在所述第二方向上的最大尺寸大于等于0.9mm且小于等于1.76mm,并且所述陶瓷电子组件在所述第三方向上的最大尺寸大于等于0.45mm且小于等于0.88mm。

13.根据权利要求12所述的陶瓷电子组件,其中,所述内电极与所述第五表面间隔开的区域在所述第三方向上的平均尺寸和所述内电极与所述第六表面间隔开的区域在所述第三方向上的平均尺寸中的每个尺寸为15μm或更小。

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