[发明专利]芯片检测方法、装置、设备及存储介质

说明书

本申请提出一种芯片检测方法、装置、设备及存储介质，该芯片检测方法，基于预设检测电路，预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，芯片接口用于接入待测芯片，且芯片接口和电源接口均连接单片机；方法包括：检测单片机向预设检测电路供电过程中，待测芯片所呈现的待测特性数据；待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数；根据待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性。本申请能够大大提高区分检测的准确性，减少传统方法造成的误判和漏判现象。

技术领域

本申请属于芯片技术领域，具体涉及一种芯片检测方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

随着芯片技术的发展，生产芯片的厂家也越来越多。对于同一种规格型号(尺寸、电性能等相同)的芯片(可以但不限于单片机上的芯片)，市场上也往往会存在来自于多个厂家生产的多种产品。但是不同厂家生产的产品性能往往参差不齐，所以，在使用芯片之前，通常需要对芯片进行检测，以鉴别其是否为所选取的芯片。

现有技术中，在对芯片进行检测时，尤其在两个芯片所采用工艺相近的情况下，两个芯片在特定点位的数据往往相差不大，所以，很容易造成误判与漏判，致使检测结果不够准确。

发明内容

本申请提出一种芯片检测方法、装置、设备及存储介质，该方法能够大大提高区分检测的准确性，减少传统方法造成的误判和漏判现象。

本申请第一方面实施例提出了一种芯片检测方法，基于预设检测电路，所述预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，所述芯片接口用于接入待测芯片，且所述芯片接口和所述电源接口均连接单片机；所述方法包括：

检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数；

根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。

在本申请一些实施例中，根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：

根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值；

根据所述特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。

在本申请一些实施例中，所述待测特性数据包括I-V特性数据和上电特数据中的至少一者；所述I-V特性数据用于表征，待测芯片加载不同输入电压的过程中，通过所述上拉电阻的电流和所述电源接口输出的第一电压之间的对应关系；所述上电特性数据用于表征，所述电源接口输出固定的第一电压时，所述芯片接口输出稳定电压的稳定时间和稳定电压之间的对应关系。

在本申请一些实施例中，检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数，包括：

在所述单片机向所述预设检测电路提供不同电压过程中，检测不同供电电压对应的第一电压值和通过所述上拉电阻的电流值；

将检测的所有第一电压值和对应的电流值记作待测I-V特性数据，将所述待测I-V特性数据确定为待测特性数据。

在本申请一些实施例中，根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：

根据所述待测I-V特性数据和预设基准芯片的I-V特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的I-V特性数据差值；

根据所述I-V特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。