[发明专利]铜-聚多巴胺共修饰的多孔硅颗粒及其制备方法和应用有效
申请号: | 202210769730.2 | 申请日: | 2022-06-30 |
公开(公告)号: | CN114983977B | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
发明(设计)人: | 邬建敏;段伟 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | A61K9/52 | 分类号: | A61K9/52;A61K47/02;A61K47/34;A61K47/04;A61K33/34;A61K41/00;A61K45/00;A61K31/12;A61P31/04;A61P31/00;C01B33/02 |
代理公司: | 杭州信与义专利代理有限公司 33450 | 代理人: | 万景旺 |
地址: | 310000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多巴胺 修饰 多孔 颗粒 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种铜-聚多巴胺共修饰的多孔硅颗粒的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,将多巴胺盐酸盐溶解在含有Cu2+的Tris缓冲液中,并在室温下搅拌形成Cu2+/聚多巴胺复合物溶液;
S2,制备或获得多孔硅颗粒,并加入至步骤S1得到Cu2+/聚多巴胺复合物溶液,充分搅拌得到所述铜-聚多巴胺共修饰的多孔硅颗粒。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述多孔硅颗粒的制备方法如下:
S21,将P型掺硼硅片固定在电解池中,以无水乙醇和氢氟酸作为电解液,以硅片为阳极,铂电极为阴极进行恒电流电解,得到多孔硅层;
S22,以多孔硅层为阳极,铂电极为阴极,降低氢氟酸的质量浓度,继续进行恒电流刻蚀,得到经剥离后的多孔硅薄膜;
S23,所得到的多孔硅薄膜在无水乙醇中超声破碎,获得所述多孔硅颗粒。
3.权利要求1所述的制备方法制备得到的铜-聚多巴胺共修饰的多孔硅颗粒。
4.权利要求3所述的铜-聚多巴胺共修饰的多孔硅颗粒在制备载药颗粒中的应用。
5.根据权利要求4所述的应用,其特征在于,所述载药颗粒中的药物为小分子药物。
6.根据权利要求5所述的应用,其特征在于,所述载药颗粒可响应多重环境刺激释放药物,所述刺激选自包括酸碱性、活性氧水平和近红外线的组中的至少一种。
7.一种载药颗粒,其特征在于,利用权利要求3所述的铜-聚多巴胺共修饰的多孔硅颗粒负载药物得到。
8.根据权利要求7所述的载药颗粒,其特征在于,所述药物为小分子药物。
9.权利要求7所述载药颗粒的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将所述铜-聚多巴胺共修饰的多孔硅颗粒分散到含有药物的溶液中,震荡后离心、洗涤并冷冻干燥,得到所述载药颗粒。
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