[发明专利]OPC修正方法

说明书

本发明提供了一种OPC修正方法，包括：提供包含被切割层和切割层的版图，被切割层由若干个长线条图形和若干个短线条图形组成；对短线条图形的两端均沿着短线条的径向延伸，使得短线条与延伸部的长度之和与长线条的长度相等或者接近于长线条图形的长度；判断在延伸方向任意相邻的两个延伸部的距离是否小于设定值；如果是，则使用连接线将该相邻的两个延伸部连接，在切割层添加延伸部及连接线的切割图形，对添加后的切割层图形以及短线条处理后的被切割层图形均进行OPC修正；如果不是，在切割层添加延伸部的切割图形，对添加后的切割层图形以及短线条处理后的被切割层图形均进行OPC修正。从而减少了收集版图图形数据的时间和工作量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种OPC修正方法。

背景技术

在光刻工艺中，掩模版即光罩(Mask)上的版图对应的图形结构会通过曝光系统投影到光刻胶中并在光刻胶中形成对应的图形结构，但是由于曝光过程中的光学原因或者光刻胶的化学反应的原因，在光刻胶中形成的图形结构和掩模版上的图形结构存在偏差，这种偏差则需要通过OPC修正预先对掩模版上的图形结构进行修改，采用经过OPC修正的掩模版进行曝光时，在光刻胶中形成的图形结构则会和设计的图形结构相符，并符合工艺生产要求。

然而，由于版图的复杂性，同一层图形中可能既有长线条图形，也包含短线条图形。为保证长线条图形及短线条图形均有足够的曝光工艺窗口，在对曝光光源的优化过程中会考虑长线条图形及短线条图形的长度不同的问题，建立OPC模型时需要收集大量长线条图形及短线条图形尺寸的数据，最终OPC修正时也要针对不同长度图形进行区分处理，以保证所有种类图形的曝光工艺窗口。这就需要花费更多时间收集图形尺寸的数据，增加了更多的工作量，也面临着更多困难。而且，随着半导体技术的不断发展，关键尺寸不断减小，对OPC模型及修正的要求越来越高，所以收集图形尺寸的数据的时间越来越长，收集数据的工作量越来越大，对图形尺寸的控制要求越来越高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OPC修正方法，对版图中切割层图形的短线条图形进行处理，可以降低图形结构复杂度，减少收集版图图形尺寸的数据的时间，同时，还可以减少收集版图图形尺寸的数据的工作量，进一步可以降低OPC模型及OPC程序建立的难度，提高了对图形尺寸控制的准确度。

为了达到上述目的，本发明提供了一种OPC修正方法，包括：

提供版图，所述版图包含切割层图形和被切割层图形，所述被切割层图形由若干个长线条图形和若干个短线条图形组成；

对所述短线条图形的两端均沿着所述短线条的径向延伸，使得所述短线条图形的两端均具有延伸部，所述短线条与所述延伸部的长度之和与所述长线条的长度相等或者所述短线条与所述延伸部的长度之和接近于所述长线条图形的长度；

判断在延伸方向任意相邻的两个所述延伸部的距离是否小于设定值；

如果是，则使用连接线将该相邻的两个所述延伸部连接，以得到短线条处理后的被切割层图形，在所述切割层添加所述延伸部及连接线的切割图形，对添加后的所述切割层图形以及短线条处理后的被切割层图形均进行OPC修正；以及

如果不是，在所述切割层添加所述延伸部的切割图形，对添加后的所述切割层图形以及短线条处理后的被切割层图形均进行OPC修正。

可选的，在所述的OPC修正方法中，长度大于或等于6倍线宽设计规则的线条为长线条，长度小于6倍设计规则的线条为短线条。

可选的，在所述的OPC修正方法中，所述长线条或所述短线条为长条形的形状。

可选的，在所述的OPC修正方法中，所述设定值为线端间距设计规则。

可选的，在所述的OPC修正方法中，所述延伸部的宽度和所述短线条的宽度相同。

可选的，在所述的OPC修正方法中，所述延伸部与所述短线条的端部对齐。