[发明专利]八边形生长式分形缝隙超宽带微带天线

权利要求书

1.一种八边形生长式分形缝隙超宽带微带天线，其特征在于：它包括介质基板、贴覆在介质基板正面的八边形生长式分形缝隙辐射贴片以及贴覆在介质基板背面的天线接地板；

所述八边形生长式分形缝隙辐射贴片包括八边形生长式分形结构(1)以及转换巴伦结构(2)；

八边形生长式分形结构(1)为八边形初始元(1-1)经过两次迭代得到的二阶八边形生长式分形结构，第一次迭代在八边形初始元(1-1)中间设置一个一阶八边形孔(1-2)，并在八边形初始元(1-1)的顶边、左边和右边分别连接一个与一阶八边形孔(1-2)大小一致的一阶八边形(1-3)；

第二次迭代在一阶八边形(1-3)中间设置一个二阶八边形孔(1-4)，并在一阶八边形(1-3)的周侧连接三个与二阶八边形孔(1-4)大小一致的二阶八边形(1-5)，二阶八边形(1-5)的中间设置一个三阶八边形孔(1-6)；

所述一阶八边形孔(1-2)、二阶八边形孔(1-4)以及三阶八边形孔(1-6)的四周分别蚀刻4个呈中心对称的T形缝隙槽(1-7)。

2.根据权利要求1所述的八边形生长式分形缝隙超宽带微带天线，其特征在于：所述转换巴伦结构(2)包括由上至下依次连接的第一级矩形(2-1)、第二级矩形(2-2)以及第三级矩形(2-3)，第一级矩形(2-1)、第二级矩形(2-2)和第三级矩形(2-3)的尺寸依次增大。

3.根据权利要求2所述的八边形生长式分形缝隙超宽带微带天线，其特征在于：所述第一级矩形(2-1)的上部设有矩形馈电点(2-4)。

4.根据权利要求3所述的八边形生长式分形缝隙超宽带微带天线，其特征在于：所述第一级矩形(2-1)尺寸为3.4mm±0.1mm×1.7mm±0.1mm，第二级矩形(2-2)尺寸为4.5mm±0.1mm×2.4mm±0.1mm，第三级矩形(2-3)尺寸为5.0mm±0.1mm×3.0mm±0.1mm；矩形馈电点(2-4)尺寸为2.0mm±0.1mm×1.7mm±0.1mm。

5.根据权利要求1所述的八边形生长式分形缝隙超宽带微带天线，其特征在于：所述八边形初始元(1-1)的边长为10mm±0.1mm，一阶八边形孔(1-2)和一阶八边形(1-3)的边长为3.5mm±0.1mm，二阶八边形孔(1-4)和二阶八边形(1-5)的边长为1.5mm±0.1mm，三阶八边形孔(1-6)的边长为0.5mm±0.1mm。

6.根据权利要求1所述的八边形生长式分形缝隙超宽带微带天线，其特征在于：所述一阶八边形孔(1-2)周侧的T形缝隙槽(1-7)的横向长度为4mm±0.1mm，宽度为0.8mm±0.1mm，纵向长度为4mm±0.1mm，宽度为1.5mm±0.1mm；

二阶八边形孔(1-4)周侧的T形缝隙槽(1-7)的横向长度为2mm±0.1mm，宽度为0.3mm±0.1mm，纵向长度为1.5mm±0.1mm，宽度为0.4mm±0.05mm；

三阶八边形孔(1-6)周侧的T形缝隙槽(1-7)的横向长度为0.6mm±0.05mm，宽度为0.1mm±0.05mm，纵向长度为0.7mm±0.05mm，宽度为0.15mm±0.1mm。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的八边形生长式分形缝隙超宽带微带天线，其特征在于：所述天线接地板为带缺陷地结构的全导电接地板(3)，天线接地板由左至右依次刻蚀3个T形槽(3-1)，左右两侧的T形槽(3-1)正置，中间的T形槽(3-1)倒置。

8.根据权利要求7所述的八边形生长式分形缝隙超宽带微带天线，其特征在于：全导电接地板(3)的尺寸为56mm±0.1mm×13mm±0.1mm，T形槽(3-1)的横向长度为12mm±0.1mm，宽度为1.0mm±0.1mm，纵向长度为9.0mm±0.1mm，宽度为1.0mm±0.1mm。