[发明专利]一种芯片位置识别方法及基于该方法的芯片时序设定方法在审

专利信息
申请号: 202210738512.2 申请日: 2022-06-28
公开(公告)号: CN114822635A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: M·亚历山大 申请(专利权)人: 浙江力积存储科技有限公司
主分类号: G11C11/4076 分类号: G11C11/4076;G11C11/4072
代理公司: 苏州彰尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32336 代理人: 周勤径
地址: 321015 浙江省金华市金东*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 位置 识别 方法 基于 时序 设定
【权利要求书】:

1.一种芯片位置识别方法,其特征在于,所述芯片位置识别方法包括如下步骤:

在芯片堆叠前,根据芯片的预设堆叠数量为每级芯片配置至少一个特征信号电路的步骤S1; 为每级芯片的所述特征信号电路配置对应的逻辑电路,芯片堆叠上电后,每级芯片的所述逻辑电路根据前级芯片的输出信号,为其所在级芯片的至少一个特征信号电路中的特征信号赋值的步骤S2;每级芯片根据其的所述特征信号,确定其在堆叠中所处位置的步骤S3。

2.根据权利要求1所述的芯片位置识别方法,其特征在于,在所述步骤S1中,

所述特征信号构成长度至少为一位的序列,定义该序列为特征信号标识位,初始状态下,保持每一所述特征信号电路都通过第一电阻接地,以使得每一所述特征信号保持第一状态,当所述特征信号标识位内的所述特征信号都保持第一状态时,将所述特征信号标识位标识出的位置定义为第一位置。

3.根据权利要求2所述的芯片位置识别方法,其特征在于,所述步骤S2中,每级芯片的所述逻辑电路根据前级输出信号,为其所在级芯片的至少一个特征信号电路中的特征信号赋值的步骤S2包括:当前级芯片的所述逻辑电路获取前级芯片的输出信号的步骤S21;所述逻辑电路根据前级芯片的输出信号,按照预设顺序驱动至少一个特征信号中特征信号处于第一状态的首个特征信号电路,并驱动其特征信号为第二状态,再将驱动的首个特征信号电路的所有前序特征信号电路的特征信号驱动为第一状态,以使得当前级芯片的所述特征信号标识位按照预设量变化,并得到当前级芯片的特征信号标识位,以及该特征信号标识位标识的第二位置的步骤S22;将当前级芯片的所述特征信号标识位输出至下一级芯片,并重复步骤S21至步骤22,直至得到底层芯片和/或顶层芯片的特征信号位的步骤S23。

4.根据权利要求3所述的芯片位置识别方法,其特征在于,使得当前级芯片的所述特征信号标识位按照预设量变化的步骤具体为:当前芯片的所述特征信号标识位按照预设量实现增加或者减少,以使得堆叠后多个芯片的所述特征信号标识位呈递增或者递减序列。

5.根据权利要求3或4所述的芯片位置识别方法,其特征在于,当前级芯片的所述逻辑电路获取前级芯片的输出信号的步骤S21中,还包括使得至少一个所述特征信号电路中的每一特征信号电路都通过连接第一电阻后接地的步骤,其中,

若当前级芯片为起始芯片,则起始芯片获取前一级输出时为高阻态,则起始芯片的所述特征信号都保持第一状态。

6.根据权利要求2所述的芯片位置识别方法,其特征在于,每级芯片根据其的所述特征信号,确定其在堆叠中所处位置的步骤S3具体为:对于堆叠中任意两块芯片,根据两者各自的所述特征信号标识位确定其在堆叠中所处的位置。

7.根据权利要求6所述的芯片位置识别方法,其特征在于,在所述步骤S1中,为每级芯片配置至少两个特征信号电路,分别定义为第一特征信号电路和第二特征信号电路,其中,配置所述第一特征信号电路对应的逻辑电路驱动方向为自堆叠芯片的底层向顶层驱动的方向,配置所述第二特征信号电路对应的逻辑电路的驱动方向为自堆叠芯片的顶层向底层驱动的方向。

8.根据权利要求7所述的芯片位置识别方法,其特征在于,在所述步骤S3中,所述第一特征信号电路内的特征信号构成的长度至少为一位的第一特征信号标识位,所述第二特征信号电路内的特征信号构成长度至少为一位的第二特征信号标识位,其中,每级芯片根据其的所述第一特征信号标识位,确定其在堆叠中相对底层芯片的位置,以及,每级芯片根据其的所述第二特征信号标识位,确定其在堆叠中相对顶层芯片的位置。

9.一种基于权利要求1至8任一项所述芯片位置识别方法的芯片时序设定方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:芯片堆叠集成后,控制器驱动所述逻辑电路,按照预设顺序顺次改变堆叠中各芯片的特征信号,以得到各芯片的特征信号标识位;芯片根据各自的特征信号标识位确定其在堆叠中的位置,并根据其在堆叠中的位置,通过编码器选择不同的延迟。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江力积存储科技有限公司,未经浙江力积存储科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210738512.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top