[发明专利]一种工艺腔室

权利要求书

1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：

腔室本体，所述腔室本体内设置有可升降的基座、多个升针和升针托架；

所述基座上沿竖直方向开设有贯穿所述基座的多个升针孔，多个所述升针设置于所述升针托架上且一一对应的穿设于多个所述升针孔内，所述基座的下表面设置有沿竖直方向延伸的导向件，所述升针托架与所述导向件滑动连接且止抵于所述导向件的下端，所述升针托架用于在所述基座升降时带动多个所述升针升降，其中，

所述基座位于传输位时，所述升针托架与所述腔室本体的底壁接触，多个所述升针从所述基座上表面伸出用于支撑晶圆；所述基座位于工艺位时所述升针托架与所述导向件的下端限位配合，多个所述升针的顶端不高于所述基座的上表面。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述升针托架包括支撑板和支撑结构，所述支撑板与所述导向件滑动连接，多个所述升针设置于所述支撑板上，所述支撑板背离所述基座的一侧设置有支撑结构，所述基座位于所述传输位时，所述支撑结构与所述腔室本体的底壁接触。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述支撑结构包括多个支撑柱，多个所述支撑柱沿所述支撑板的周向间隔设置，所述基座位于所述传输位时，所述多个所述支撑柱与所述腔室本体的底壁接触。

4.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述导向件的数量为多个，多个所述导向件沿所述基座的周向间隔设置，所述导向件的背离所述基座的一端具有向外凸出的限位部，所述基座位于所述工艺位时所述支撑板止抵于所述限位部。

5.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述升针孔包括由上至下依次设置的配合孔和导向孔，所述配合孔的孔径小于所述导向孔的孔径，所述升针包括由上至下依次设置的配合部和导向部，所述配合部与所述配合孔间隙配合，所述导向部与所述导向孔导向配合。

6.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述配合孔与所述导向孔之间由第一导向锥面部过渡连接，所述配合部与所述导向部之间由第二导向锥面部过渡连接，所述第二导向锥面部与所述第一导向锥面部导向配合。

7.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述配合部的直径不大于2mm，所述配合孔的孔径不大于2.5mm。

8.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述支撑柱的背离所述支撑板的一端均设置有高度调节组件，所述高度调节组件用于在所述基座位于所述传输位时调节多个所述升针的顶端相对于所述基座的上表面的高度。

9.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述高度调节组件包括套筒螺杆和锁紧螺母，所述支撑柱的下端螺纹连接有所述套筒螺杆，所述支撑柱上螺纹连接有所述锁紧螺母，所述锁紧螺母设置在所述套筒螺杆的上方，用于锁紧所述套筒螺杆的位置。

10.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述基座的下方设置有基座升降机构，所述基座升降机构用于驱动所述基座在所述传输位和所述工艺位之间升降，所述基座的上方设置有喷淋盘，所述喷淋盘用于喷淋工艺气体。