[发明专利]一种快速成型上耦合器的制造方法

权利要求书

1.一种快速成型上耦合器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、架设插针内架注塑模具，所述插针内架注塑模具包括插针内架注塑下模组和插针内架注塑上模组；

S2、将多根插针(1)放置于所述插针内架注塑下模组上，且启动插针内架注塑工序，以使所述插针内架注塑上模组与所述插针内架注塑下模组相配合以注塑连接多根所述插针(1)上部，以使成型插针内架(2)；

S3、取出所述插针内架(2)，并将所述插针内架(2)朝下放置铆压装置上；

S4、将连接线束(3)放置于所述插针内架(2)上侧，且使所述连接线束(3)第一连接端套设于所述插针(1)上端上；

S5、启动铆压装置，将所述连接线束(3)铆压于所述插针内架(2)上；

S6、取出铆压有所述连接线束(3)的所述插针内架(2)，随之放置上耦合器注塑模具上，而后启动上耦合器注塑工序，以使注塑包覆所述连接线束(3)第一连接端及所述插针内架(2)上部，进而成型出上耦合器(100)。

2.根据权利要求1所述的快速成型上耦合器的制造方法，其特征在于：所述插针内架(2)上设有注塑连接部(20)，所述注塑连接部(20)上侧中部设有向上凸起的中间上凸肋条(21)，以及设有与所述中间上凸肋条(21)同一水平面内垂直设置的垂直肋条(22)，所述垂直肋条(22)与所述中间上凸肋条(21)间形成有用于避空让位所述连接线束(3)第一连接端的下凹避空让位槽(23)。

3.根据权利要求2所述的快速成型上耦合器的制造方法，其特征在于：所述注塑连接部(20)的厚度为5～7㎜。

4.根据权利要求3所述的快速成型上耦合器的制造方法，其特征在于：所述下凹避空让位槽(23)深度为2～3㎜，所述插针(1)上端位置距离所述下凹避空让位槽(23)底部距离为1.5～2㎜。

5.根据权利要求1所述的快速成型上耦合器的制造方法，其特征在于：所述注塑连接部(20)下侧中部开设有向上凹陷的中间上凹线槽(24)，以及还开设有与所述中间上凹线槽(24)同一水平面内垂直设置的垂直上凹线槽(25)。

6.根据权利要求5所述的快速成型上耦合器的制造方法，其特征在于：所述中间上凹线槽(24)和所述垂直上凹线槽(25)的上凹深度均为1.2～2㎜。

7.根据权利要求1所述的快速成型上耦合器的制造方法，其特征在于：在步骤S5中，所述铆压装置采用的铆压方式为十字铆压方式。