[发明专利]一种高熵超晶格氮化物涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种高熵超晶格氮化物涂层，其特征在于：该涂层包括周期性交替布置的AlCrTiNbN层和VN层；该涂层的AlCrTiNbN层和VN层的厚度比例关系为：1~7：1；该AlCrTiNbN层原子比例关系为：Al: Cr: Ti: Nb: N = 7~12: 7~12: 7~12: 7~12: 52~65，该涂层的制备中在Ar和N₂气氛中，使用高功率脉冲磁控溅射的方法溅射Al₂₅Cr₂₅Ti₂₅Nb₂₅合金靶和V单质靶，Al₂₅Cr₂₅Ti₂₅Nb₂₅合金靶和V单质靶，交替工作制备高熵超晶格氮化物涂层；Al₂₅Cr₂₅Ti₂₅Nb₂₅合金靶和V单质靶交替工作时，Al₂₅Cr₂₅Ti₂₅Nb₂₅合金靶和V单质靶的脉冲数量为1.5×10⁴~9×10⁴。

2.根据权利要求1所述的一种高熵超晶格氮化物涂层，其特征在于：该涂层的AlCrTiNbN层和VN层的厚度比例关系为：7：1。

3.根据权利要求1所述的一种高熵超晶格氮化物涂层，其特征在于：该VN层的原子比例关系为：V: N = 48~52: 48~52。

4.根据权利要求1-3任一所述的一种高熵超晶格氮化物涂层的制备方法，其特征在于：在Ar和N₂气氛中，使用高功率脉冲磁控溅射的方法溅射Al₂₅Cr₂₅Ti₂₅Nb₂₅合金靶和V单质靶，Al₂₅Cr₂₅Ti₂₅Nb₂₅合金靶和V单质靶，交替工作制备高熵超晶格氮化物涂层。

5.根据权利要求4所述的一种高熵超晶格氮化物涂层的制备方法，其特征在于：使用高功率脉冲磁控溅射的方法溅射Al₂₅Cr₂₅Ti₂₅Nb₂₅合金靶的参数为负脉冲宽度为10~50 μs，负脉冲频率为1000~2000 Hz，峰值电流为1~2 A/cm²。

6.根据权利要求4所述的一种高熵超晶格氮化物涂层的制备方法，其特征在于：使用高功率脉冲磁控溅射的方法溅射V单质靶的参数为负脉冲宽度为10~50 μs，负脉冲频率为1000~2000 Hz，峰值电流为0.5~1.5 A/cm²。

7.根据权利要求4所述的一种高熵超晶格氮化物涂层的制备方法，其特征在于：Al₂₅Cr₂₅Ti₂₅Nb₂₅合金靶和V单质靶交替工作时，Al₂₅Cr₂₅Ti₂₅Nb₂₅合金靶和V单质靶的脉冲数量为1.5×10⁴~9×10⁴。