[发明专利]用于电子装置的低介电损耗玻璃在审
申请号: | 202210698889.X | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN114873911A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | H·D·伯克;蔡岭;J·A·海涅;L·A·兰伯森;A·坦迪亚;M·O·韦勒;K·D·瓦尔吉斯 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | C03C3/089 | 分类号: | C03C3/089;C03C3/091;C03C3/093;C03C3/095;C03C3/118 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐鑫;项丹 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子 装置 低介电 损耗 玻璃 | ||
1.一种玻璃制品,其包含:
电绝缘层,其中,电绝缘层包括玻璃,以氧化物的摩尔%计,所述玻璃包含:
60%至80%SiO2;
0%至13%Al2O3;
7%至20%B2O3;
0%至1%的至少一种澄清剂;
总计3%至15%的碱土氧化物RO,以氧化物的摩尔计,其中,RO选自CaO、MgO、BaO和SrO,其中,MgO与总RO之比是至少0.3,但是其中,RO是混合的RO物质使得MgO与总RO之比不超过0.9;
其中,B2O3:(Al2O3+SiO2)之比是0.13至0.35,
其中,玻璃包括10或更小的介电常数以及0.01或更小的损耗角正切,这两者都是以10GHz信号进行测量的,以及
其中,玻璃还包括1110℃至1325℃的35000泊温度。
2.如权利要求1所述的玻璃制品,其中,玻璃还包含:MgO是1%至13%,以及CaO是0.1%至10%,以氧化物的摩尔计。
3.如权利要求1所述的玻璃制品,其中,RO:(Al2O3+(0.5*B2O3))之比是0至0.9。
4.如权利要求1所述的玻璃制品,其中,RO:(Al2O3+(0.5*B2O3))之比是0.2至0.9。
5.如权利要求1所述的玻璃制品,其中,玻璃还包含:
64%至75%SiO2;
1%至12%Al2O3;以及
7%至15%B2O3,以氧化物的摩尔计。
6.如权利要求1所述的玻璃制品,其中,玻璃包含不超过痕量的碱金属氧化物。
7.如权利要求1所述的玻璃制品,其中,绝缘层的厚度是100至700微米。
8.如权利要求6所述的玻璃制品,其中,总RO与Al2O3之比大于1。
9.如权利要求8所述的玻璃制品,其中,MgO与总RO之比是至少0.38且不超过0.86。
10.如权利要求9所述的玻璃制品,其中,MgO与总RO之比是至少0.5且不超过0.7。
11.如权利要求10所述的玻璃制品,其中,MgO5摩尔%,以及碱土氧化物RO总计最高至15%。
12.如权利要求11所述的玻璃制品,其中,CaO3摩尔%,以及碱土氧化物RO总计最高至15%。
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