[发明专利]一种实现宽带低副瓣的阵列波束合成装置

权利要求书

1.一种实现宽带低副瓣的阵列波束合成装置，其特征在于，包括N个M通道大步进时延波控单元和一个波束合成单元；M通道大步进时延波控单元的每个波束通道包括衰减器、移相器和大步进时延器；其中M和N均为设定值；

M通道大步进时延波控单元用于从天线及前端接收信号，在内部分为M通道，每个通道的信号依次经衰减器、移相器和大步进时延器后输出，共输出M个波束至波束合成单元；

波束合成单元，用于将N个M通道大步进时延波控单元输出的对应通道波束合成，得到M路波束，再将M路波束进行合成，得到最终的合成波束输出。

2.根据权利要求1所述的实现宽带低副瓣的阵列波束合成装置，其特征在于，大步进时延器的最小步进τ_step和最大延时量τ_max的计算方式为：

τ_max＝Ndsinθ_max/c

式中，c为光速，θ_B为波束指向角，d为无栅瓣单元间距，θ_max为最大扫描角度，α为系数，f_c为工作频段中心频率，IBW为工作频段瞬时带宽。

3.根据权利要求2所述的实现宽带低副瓣的阵列波束合成装置，其特征在于，M通道大步进时延波控单元的每个通道中移相器的相位和大步进时延器的时延，计算方式为：

式中，p_m(n,θ_B)为第n个M通道大步进时延波控单元第m波束通道的相位，τ_m(n,θ_B)为第n个M通道大步进时延波控单元第m波束通道的时延，K_m为第m个波束的虚拟子阵单元数，r_m为第m个波束的虚拟位移，l_m表示当前n所属于的第l_m个虚拟子阵，ps为移相步进，fix代表取整。

4.根据权利要求3所述的实现宽带低副瓣的阵列波束合成装置，其特征在于，波束合成单元的合成方式具体为：

式中，F_m(θ)为对应第m波束通道波束合成结果，F(θ)为最终的合成波束,a_m(n)为第n个M通道大步进时延波控单元第m波束通道的衰减器幅度。