[发明专利]一种二氧化硅纳米管限域镍-CeO2

权利要求书

1.一种二氧化硅纳米管限域镍-CeO₂纳米颗粒的制备方法，其特征在于：包含以下步骤：首先，采用水热合成法，把硅源前驱体在碱性条件下，形成镍硅酸盐纳米管前驱体；第二，利用沉淀剂，在加热条件下，把铈前驱体沉淀在镍硅酸盐表面；第三，利用微乳液法，采用二氧化硅前驱体在碱性条件下水解，在镍铈前驱体上包覆一层均匀的二氧化硅纳米管壳层；第四，在高温、还原气氛下，硅酸盐纳米管前驱体原位分解为镍纳米颗粒，CeO₂纳米颗粒位于镍纳米颗粒之间，完全限域在二氧化硅纳米管壳层内，形成二氧化硅纳米管限域镍-CeO₂纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种二氧化硅纳米管限域镍-CeO₂纳米颗粒的制备方法，其特征在于：所述的制备镍硅酸盐纳米管所用的硅源采用正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、硅酸钠中的一种或一种以上混合。

3.根据权利要求1所述的一种二氧化硅纳米管限域镍-CeO₂纳米颗粒的制备方法，其特征在于：所述的制备镍硅酸盐纳米管所用的镍前驱体采用硝酸镍、氯化镍、醋酸镍、乙酰丙酮镍中的一种或一种以上混合。

4.根据权利要求1所述的一种二氧化硅纳米管限域镍-CeO₂纳米颗粒的制备方法，其特征在于：所述的水热法反应温度为120℃～220℃，反应时间为10～36小时。

5.根据权利要求1所述的一种二氧化硅纳米管限域镍-CeO₂纳米颗粒的制备方法，其特征在于：所述的沉淀法合成体系中沉淀剂采用乌洛托品、尿素、浓氨水、氢氧化钠中的一种或一种以上混合；所述的沉淀法合成体系中的铈前驱体采用硝酸铈、醋酸铈、氯化铈中的一种或者一种以上混合。

6.根据权利要求1所述的一种二氧化硅纳米管限域镍-CeO₂纳米颗粒的制备方法，其特征在于：所述的沉淀法的温度控制在40℃～150℃。

7.根据权利要求1所述的一种二氧化硅纳米管限域镍-CeO₂纳米颗粒的制备方法，其特征在于：所述的制备二氧化硅纳米管壳层所使用的硅源采用正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、硅酸钠中的一种或一种以上混合；制备二氧化硅纳米管壳层的反应时间1～14天。

8.根据权利要求1所述的一种二氧化硅纳米管限域镍-CeO₂纳米颗粒的制备方法，其特征在于：所述的微乳液体系中的碱采用尿素、浓氨水、氢氧化钠中的一种或一种以上混合；pH值8～12。

9.根据权利要求1所述的一种二氧化硅纳米管限域镍-CeO₂纳米颗粒的制备方法，其特征在于：所述的高温、还原的温度为500℃～900℃。

10.根据权利要求1所述的一种二氧化硅纳米管限域镍-CeO₂纳米颗粒的制备方法，其特征在于：在镍硅酸盐纳米管水热合成体系中，硅源的质量百分比为0.5wt％～5wt％，镍前驱体的质量百分比为0.5wt％～30wt％，碱的质量百分比为5wt％～50wt％，其他为水溶剂；在合成铈镍前驱体的沉淀法体系中，硅源的质量百分比为0.5wt％～5wt％，镍前驱体的质量百分比为0.5wt％～30wt％，沉淀剂的质量百分比为5wt％～50wt％，铈前驱体的质量百分比为0.5wt％～30wt％，其他为乙醇水混合溶液；在合成二氧化硅纳米管壳层的微乳液体系中，硅源的质量百分比为0.5wt％～15wt％，硅酸镍纳米管的质量百分比为0.5wt％～50wt％，镍前驱体的质量百分比为0.5wt％～30wt％，沉淀剂的质量百分比为5wt％～50wt％，碱的质量百分比为0.5wt％～10wt％，表面活性剂的质量百分比为0.5wt％～10wt％，其他为乙醇水混合溶液，pH值控制在8～12。