[发明专利]PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质

说明书

本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。

技术领域

本申请半导体生产技术领域，具体而言，涉及一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质。

背景技术

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)设备反应沉积过程中，反应腔内在衬底外的部分会沉积多余的反应物，这些反应物对于PECVD设备而言属于会影响沉积效果的杂质，故PECVD需要定期进行清洗。

现有的PECVD设备清洗过程无法获知其内杂质的清除情况，其清洗时长、频率一般为按照经验进行设定，在清洗过程中，用户无法确切地了解清洗过程的进度，清洗时间过长会浪费时间，清洗时间过短则会导致杂质不完全去除。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请的目的在于提供一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，以预测获取PECVD设备的清洗时间。

第一方面，本申请提供了一种PECVD设备的清洗时间预测方法，用于获取清洗PECVD设备反应腔所需的时间，所述PECVD设备基于气体腐蚀的方式进行反应腔清洗，所述方法包括以下步骤：

在清洗所述PECVD设备时，获取预设采集时间内所述反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；

基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及所述预设采集时间生成清洗进度函数；

根据所述清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息。

本申请的PECVD设备的清洗时间预测方法，能使用户获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制，间接提高PECVD设备的使用效率。

所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其中，所述根据所述清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息的步骤包括：

比较所述清洗进度函数和预设的基准函数，获取当前清洗进度信息；

根据所述当前清洗进度信息和所述预设的基准函数生成所述预测时间信息和/或所述提醒信息。

该示例的方法能根据当前清洗进度信息在基准函数中的位置，快速分析获取清洗结束所需要的时间以及不同时间后反应腔的清洗进度，以高效地能生成预测时间信息和/或提醒信息。

所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其中，所述清洗进度函数为所述反应腔内的杂质清除量关于时间的变化函数。

所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其中，所述方法还包括以下步骤：

在达到所述预测时间信息或所述提醒信息相应的时间后，获取所述尾气中的反应后气体浓度信息；

在所述反应后气体浓度信息为零时，生成清洗终止信号。

在该示例的方法中，清洗终止信号为PECVD设备中对应清洗装置的终止控制信号，尾气中反应后气体浓度应为零表明反应腔中杂质已被完全清除，故生成清洗终止信号能及时关闭清洗装置，实现清洗操作关闭的自动控制，避免了不必要的能源损耗。

所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其中，所述方法还包括以下步骤：