[发明专利]体声波谐振结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202210626350.3 申请日: 2022-06-02
公开(公告)号: CN115102519A 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 郝梁博;刘家伟 申请(专利权)人: 武汉光钜微电子有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H3/02
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 高天华;蒋雅洁
地址: 430000 湖北省武汉市东湖高新技术开发区高新*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 声波 谐振 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种体声波谐振结构,其特征在于,包括:

依次层叠于衬底上的反射结构、第一电极层、压电层、第二电极层;所述反射结构包括空腔;

以及至少贯穿所述压电层的多个释放孔;

其中,所述多个释放孔对应设置在多个释放孔位置处;多个所述释放孔位置之间相互关联;通过设置位置相互关联的所述多个释放孔,使得利用刻蚀工艺刻蚀牺牲层形成所述反射结构时,刻蚀速率大于预设刻蚀速率。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振结构,其特征在于,所述牺牲层的外轮廓线包括一条弧线段与至少两条直线段连接而成的封闭图形。

3.根据权利要求2所述的体声波谐振结构,其特征在于,每一所述释放孔位置位于所述牺牲层的外轮廓线上,或者靠近所述牺牲层的外轮廓线,位于所述牺牲层的外轮廓线的周边。

4.根据权利要求2所述的体声波谐振结构,其特征在于,所述多个释放孔位置的数量包括四个。

5.根据权利要求4所述的体声波谐振结构,其特征在于,所述弧线段上至少设置一个释放孔位置;所述至少两条直线段上至少设置一个释放孔位置。

6.根据权利要求4所述的体声波谐振结构,其特征在于,四个释放孔位置包括围绕所述牺牲层的外轮廓线而成的封闭图形的质心依次设置的第一释放孔位置、第二释放孔位置、第三释放孔位置及第四释放孔位置;所述第一释放孔位置的第一几何中心和所述第三释放孔位置的第三几何中心的连线为第一辅助线段,所述第二释放孔位置的第二几何中心和所述第四释放孔位置的第四几何中心的连线为第二辅助线段;所述第一辅助线段和所述第二辅助线段的交点与所述质心重合且所述第一辅助线段和所述第二辅助线段的垂直。

7.根据权利要求2所述的体声波谐振结构,其特征在于,所述牺牲层的外轮廓线包括分别与所述弧线段的两个端点连接的第一直线段和第二直线段;所述多个释放孔位置个数为M;所述外轮廓线的条数为N;其中,所述M≥N,所述M、N均为大于1的正整数。

8.根据权利要求2所述的体声波谐振结构,其特征在于,所述牺牲层的外轮廓线包括分别与所述弧线段的两个端点连接的第一直线段和第二直线段;所述第一直线段和所述第二直线段的夹角为120°;

所述多个释放孔位置包括第一释放孔位置、第二释放孔位置、第三释放孔位置及第四释放孔位置;所述第一释放孔位置的第一几何中心位于所述弧线段上,且以所述第一几何中心为圆心的圆经过的弧线的第一端点和弧线的中点;所述第二释放孔位置的第二几何中心位于所述第一直线段上,且以所述第二几何中心为圆心的圆经过所述第一端点;所述第三释放孔位置的第三几何中心位于所述第二直线段上,且以所述第三几何中心为圆心的圆经过所述第一直线段与所述第二直线段的交点上;所述第四释放孔位置的第四几何中心位于所述弧线段上,且相较于坐标为[r,0]的所述第一端点,所述第四几何中心的坐标取值范围为[r,1.7π/3]-[r,2π/3];

其中,所述r为所述弧线段所在的圆的半径。

9.一种体声波谐振结构的制作方法,其特征在于,包括:

提供衬底;

在所述衬底上依次形成层叠设置的牺牲层、第一电极层、压电层、第二电极层;

根据牺牲层的外轮廓线确定多个释放孔位置;多个所述释放孔位置之间相互关联;

在所述多个释放孔位置处形成至少贯穿所述压电层的多个释放孔;

通过所述释放孔刻蚀所述牺牲层,形成包括空腔的反射结构;其中,在刻蚀所述牺牲层的过程中,刻蚀速率大于预设刻蚀速率。

10.根据权利要求9所述的体声波谐振结构的制作方法,其特征在于,所述牺牲层的外轮廓线包括一条弧线段与至少两条直线段连接而成的封闭图形;所述多个释放孔位置包括第一释放孔位置、第二释放孔位置、第三释放孔位置和第四释放孔位置。

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