[发明专利]尾气处理装置

说明书

本发明实施例提供一种尾气处理装置，用于处理半导体工艺设备排出的氢气尾气。该尾气处理装置包括依次设置的进气腔、燃烧腔和冷凝腔，进气腔与燃烧相互隔绝，燃烧腔与冷凝腔相互连通，冷凝腔用于与厂务管道连通；其中，进气腔中设置有互不连通的氢气管路和氧气管路；氢气管路的进气口与半导体工艺设备的排气口连通，氧气管路的进气口与氧气源连通；氢气管路和氧气管路的出气口均与燃烧腔连通；燃烧腔用于供氢气和氧气燃烧；冷凝腔中设置有冷凝装置；冷凝装置用于冷凝燃烧产生的水蒸气，并收集冷凝水。本发明实施例提供的尾气处理装置，其能够避免氢气因燃烧不充分而产生爆鸣，并且能够避免冷凝水回流而影响燃烧反应的发生。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种尾气处理装置。

背景技术

在半导体热处理工艺中，常常会采用氢气作为工艺气体，但在热处理工艺完成后，可能会在热处理设备中残留一定量的氢气。而由于该残留的氢气存在燃烧的风险，所以不能随意地排放到厂务管道中，而是需要对氢气进行尾气处理。

目前，被广泛使用的氢气处理方法为燃烧处理法，具体的，燃烧处理法是使氢气与氧气混合燃烧。但在采用燃烧处理法时，若氢气与氧气进气方式、混合方式、燃烧位置以及燃烧后排气的稳定性等因素没有处理好，则会导致氢气燃烧不充分而产生爆鸣，进而影响设备使用寿命。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种尾气处理装置，其能够避免氢气因燃烧不充分而产生爆鸣，并且能够避免冷凝水回流而影响燃烧反应的发生。

为实现本发明的目的而提供一种尾气处理装置，用于处理半导体工艺设备排出的氢气尾气，其包括依次设置的进气腔、燃烧腔和冷凝腔，所述进气腔与所述燃烧相互隔绝，所述燃烧腔与所述冷凝腔相互连通，所述冷凝腔用于与厂务管道连通；其中，

所述进气腔中设置有互不连通的氢气管路和氧气管路；所述氢气管路的进气口与所述半导体工艺设备的排气口连通，所述氧气管路的进气口与氧气源连通；所述氢气管路和所述氧气管路的出气口均与所述燃烧腔连通；

所述燃烧腔用于供氢气和氧气燃烧；

所述冷凝腔中设置有冷凝装置；所述冷凝装置用于冷凝燃烧产生的水蒸气，并收集冷凝水。

可选的，所述进气腔与所述燃烧腔之间设置有隔板，所述氧气管路为多条，多条所述氧气管路环绕所述氢气管路均匀分布；

所述氢气管路和多条所述氧气管路的出气口均穿过所述隔板伸入所述燃烧腔，且多条所述氧气管路伸入所述燃烧腔的部分均朝向所述氢气管路弯折。

可选的，多条所述氧气管路的进气口处均设置有流量控制装置，所述流量控制装置用于检测和控制所述氧气管路的进气流量。

可选的，所述氧气管路的进气口与大气环境连通；

所述氧气管路的进气口处还设置有过滤组件，所述过滤组件用于过滤大气中杂质。

可选的，所述氢气管路中靠近出气口处还设置有加热装置，所述加热装置包括支撑柱和加热丝；所述支撑柱沿所述氢气管路的中轴线延伸；所述加热丝绕设于所述支撑柱的外表面上，用于在氢气进入所述燃烧腔之前将其加热至燃点或高于燃点。

可选的，所述冷凝装置包括第一冷却装置和冷凝水收集装置；

所述第一冷却装置用于冷凝所述水蒸气；

所述冷凝水收集装置位于所述第一冷却装置下方，用于接收下落的冷凝水。

可选的，所述冷凝装置还包括第二冷却装置，所述第二冷却装置位于所述冷凝水收集装置下方，用于对所述水蒸气进行预冷却。

可选的，所述冷凝水收集装置包括甩水扇和接水盘；