[发明专利]源瓶的温度控制系统及方法

说明书

本申请公开了一种源瓶的温度控制系统及方法，系统包括：源瓶本体；设置于源瓶本体内的液位计和压力计，液位计用于检测源瓶本体内所承载工艺源的液位值，压力计用于检测源瓶本体内的压力值；设置于源瓶本体的外瓶壁上的第一热电偶、设置于源瓶本体的气流出口处的第二热电偶和载气流量计、设置于源瓶本体内的第三热电偶；设置于源瓶本体的侧壁上的加热带，用于对所述源瓶本体进行加热；温度控制器，用于根据第一热电偶所测量到的第一温度值、第二热电偶所测量到的第二温度值、第三热电偶所测量到的第三温度值、液位计所检测到的液位值、压力计所检测到的压力值和载气流量计所检测到的载气流量值，控制加热带的输出功率。

技术领域

本申请属于半导体工艺设备技术领域，具体涉及一种源瓶的温度控制系统及方法。

背景技术

在半导体设备中，原子层沉积系统(ALD)/化学气相沉积(CVD)的相关设备中较多镀膜工艺会涉及到固态源或液态源，此固态源或液态源存储在源瓶里且源瓶需加热到指定温度才能完成工艺要求，此源通过载气流通到工艺反应腔完成镀膜工艺，源瓶的控温精度对工艺的结果影响至关重要。源瓶中的液态源或固态源在使用过程中条件是不断变化的，简单的温度控制无法满足设备中源瓶的温控要求。

发明内容

本申请实施例提供一种源瓶的温度控制系统及方法，以快速准确的控制工艺源瓶的温度。

第一方面，本申请实施例提供了一种源瓶的温度控制系统，包括：

用于承载工艺源的源瓶本体；

设置于所述源瓶本体内的液位计和压力计，所述液位计用于检测所述源瓶本体内所承载工艺源的液位值，所述压力计用于检测所述源瓶本体内的压力值；

设置于所述源瓶本体的外瓶壁上的第一热电偶、设置于所述源瓶本体的气流出口处的第二热电偶和载气流量计、设置于所述源瓶本体内的第三热电偶；

设置于所述源瓶本体的内瓶壁上的加热带，用于对所述源进行加热；

温度控制器，用于根据所述第一热电偶所测量到的第一温度值、所述第二热电偶所测量到的第二温度值、所述第三热电偶所测量到的第三温度值、所述液位计所检测到的所述液位值、所述压力计所检测到的所述压力值和所述载气流量计所检测到的载气流量值，控制所述加热带输出目标功率，以控制所述源瓶本体的温度达到预先设定的目标温度值。

第二方面，本申请实施例另提供了一种源瓶的温度控制方法，应用于第一方面所述的源瓶的温度控制系统，所述温度控制方法包括：

获取所述液位计所检测到的所述液位值、所述压力计所检测到的所述压力值、所述载气流量计所检测到的所述载气流量值、所述第一热电偶所测量到的所述第一温度值、所述第二热电偶所测量到的所述第二温度值和所述第三热电偶所测量到的所述第三温度值；

对所述第一温度值、所述第二温度值和所述第三温度值进行耦合得到第一耦合温度值；

根据所述第一耦合温度值与预先设置的目标温度值之间的温度差值以及所述液位值、所述压力值、所述载气流量值，控制所述加热带输出第一目标功率，以控制所述第一耦合温度值达到所述目标温度值。