[发明专利]一种一体化的Zn纳米片电极材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种一体化的Zn纳米片电极材料，其特征在于，所述Zn纳米片电极材料由Zn箔基底以及沉积在Zn箔基底上的Zn纳米片组成，通过在1-5MZnCl₂中沉积Zn纳米片。

2.根据权利要求1所述的Zn纳米片电极材料，其特征在于，所述Zn箔纯度为99.99％，厚度为0.001-0.02mm。

3.根据权利要求1所述的Zn纳米片电极材料，其特征在于，所述Zn纳米片的尺寸为1-2μm，厚度为30-50nm。

4.根据权利要求1所述的Zn纳米片电极材料，其特征在于，所述Zn纳米片的非平行于Zn箔基底。

5.根据权利要求1或4所述的Zn纳米片电极材料，其特征在于，所述Zn纳米片的垂直于Zn箔基底。

6.一种如权利要求1所述的一体化的Zn纳米片电极材料制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括：将清洗后的Zn箔作为负极，与正极在电解液1中组成对称式两电极系统，在80-120mV/s的扫速下，循环N次后在Zn箔表面沉积Zn纳米片制得Zn纳米片电极材料。

7.根据权利要求6所述的Zn纳米片电极材料制备方法，其特征在于，所述正极为SiC@SiO。

8.根据权利要求6所述的Zn纳米片电极材料制备方法，其特征在于，SiC@SiO的制备方法为将SiC置于0.5-2M的硫酸刻蚀液中刻蚀10-30分钟。

9.根据权利要求6所述的Zn纳米片电极材料制备方法，其特征在于，所述N为900-1100。

10.一种锌离子混合超级电容器，其特征在于，所述锌离子混合超级电容器的正极为SiC@SiO材料，负极为权利要求1所述的一体化的Zn纳米片电极材料，集流体为Zn箔，电解液为5-8M ZnCl₂。