[发明专利]一种合成不饱和环卤代物的方法

权利要求书

1.一种合成不饱和环卤代物的方法，其特征在于，包括以下步骤：将底物、卤化物、溶剂混合形成反应液，在无隔膜电解槽中施加恒电流的条件下，以电子作为氧化还原试剂反应合成相应的不饱和环上的氢被取代的卤代物，

所述底物包括吡唑、吲哚、吲唑、吡咯、噻吩、呋喃、萘、芳基醚、芳基胺中的任意一种或者多种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底物包括吡唑、吲哚、吲唑、吡咯、噻吩、呋喃、萘和吡唑、吲哚、吲唑、吡咯、噻吩、呋喃、萘的取代物，所述取代物的取代基为卤素、C₁~C₈的烷基、C₁~C₈的烷氧基、C₆~C₂₀的芳基、氨基中的任意一种或者多种。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述取代基为卤素、C₁~C₃的烷基、C₁~C₄的烷氧基、C₆~C₁₀的芳基、氨基中的任意一种或者多种。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无隔膜电解槽中的阳极和/或阴极的材料选自石墨、碳毡、碳纸、铂、镍、不锈钢、铜、金、银、RVC、BDD中的任意一种或者多种；所述阳极和/或阴极的形状选自片状、网状、棒状、丝状中的任意一种或者多种。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述所述无隔膜电解槽中的阳极和/或阴极的材料为石墨，所述阳极和/或阴极的形状为片状。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述卤化物为溴化物，所述溴化物选自溴化钠、溴化锂、溴化钾、溴化镁、溴化锌、氢溴酸、溴化铵、四丁基溴化铵，所述卤化物的添加量为使所述卤化物中卤离子是所述底物卤取代摩尔量的1~2倍。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述卤化物的添加量为使所述卤化物中卤离子是所述底物卤取代摩尔量的1.2~1.5倍。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶剂选自乙腈、水、丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇、三氟乙醇、六氟异丙醇、乙酸乙酯、醋酸异丙酯、二氯甲烷、氯仿、1,2-二氯乙烷、四氢呋喃、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜中的任意一种或者多种。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述溶剂为乙腈和水的混合物，乙腈和水的比例为1~10:1。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述恒电流的电流密度为1~1000 mA/cm²。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述恒电流的电流密度为50~150 mA/cm²。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应的温度为15~25°C。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应液中还包括质子源，所述质子源选自乙酸、甲酸、盐酸中的任意一种或者多种，所述质子源的添加量为底物摩尔量的1~4倍。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应液的pH值为2~10。

15.根据权利要求1至9任一项所述的方法，其特征在于，所述反应液在反应容器中混合，所述反应容器与所述无隔膜电解槽通过管路形成闭合回路，所述回路中设置有动力装置，所述动力装置经配置促进反应液流动。