[发明专利]一种基于非手性纳米结构的手性分子传感器

权利要求书

1.一种基于非手性纳米结构的手性分子传感器，其特征在于：由衬底层和其上的纳米结构层组成，衬底层的平面尺寸为D×M，D＝100～500μm，M＝100～500μm，整个器件在亚波长尺寸；

所述衬底层为透明基片；

所述纳米结构层由长方体的纳米结构周期排列构成，纳米结构的材料为金属；单个纳米结构的高度为H，长度为L，宽度为W；其中L＝50～300nm，W＝30～200nm，H＝30～50nm；

所述周期是指将衬底层划分为边长为P的正方形周期单元，各周期单元以矩阵的方式排布构成整个D×M的平面尺寸，P＝200～500nm＞L；各周期单元上均居中设置一个纳米结构，且纳米结构的平面边在两个方向分别与周期单元的平面边平行，并保持周期排布后纳米结构的长轴方向一致。

2.如权利要求1所述基于非手性纳米结构的手性分子传感器，其特征在于：所述衬底层为二氧化硅基片。

3.如权利要求1所述基于非手性纳米结构的手性分子传感器，其特征在于：所述纳米结构的材料为金。

4.如权利要求1所述基于非手性纳米结构的手性分子传感器，其特征在于：使用时，将入射线性偏振光垂直射入手性分子传感器的纳米结构层表面，然后通过改变入射线性偏振光与纳米结构长轴之间的夹角θ大小实现对左圆和右圆超手性场的调控。