[发明专利]一种EEPROM数据可靠存储的方法在审

专利信息
申请号: 202210599115.1 申请日: 2022-05-30
公开(公告)号: CN114879913A 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 徐奇伟;王益明;张雪锋;戴锐;罗凌雁;张伟;张艺璇;王诗雅 申请(专利权)人: 重庆大学;重庆新翼创电气科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 代理人: 王翔
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 eeprom 数据 可靠 存储 方法
【说明书】:

发明公开一种EEPROM数据可靠存储的方法,步骤包括:1)对EEPROM存储器进行上电;2)上电后,初始化EEPROM存储器;3)接收更新数据,并将更新数据写入EEPROM存储器中,完成EEPROM存储器的数据更新和存储。本发明通过将EEPROM划分为高地址和低地址区间,采用高地址和低地址区间数据冗余备份的方式,提高了数据的可靠性。

技术领域

本发明涉及数据存储领域,具体是一种EEPROM数据可靠存储的方法。

背景技术

EEPROM在存储数据时先将指定地址的数据擦除然后将新的数据写入,在该过程中因意外断电、电磁干扰会导致写入的数据错误。针对该问题,现有方案主要是采用写入字节后立即读出比对的方法。但如果在写入过程中掉电,该方法没有数据备份,因此无法保证在意外掉电等条件下数据存储的可靠性。另外采用EEPROM的固定地址保存数据的方法,受EEPROM擦除次数的限制,当一个地址的擦写次数达到极限值后,该地址不能再保存数据,因此也不能保证数据的安全。

发明内容

本发明的目的是提供一种EEPROM数据可靠存储的方法,包括以下步骤:

1)对EEPROM存储器进行上电;

所述EEPROM存储器包括高地址存储区间和低地址存储区间;其中,低地址区间为主存储区,高地址区间为备份数据区。

所述高地址存储区间和低地址存储区间的大小相等。

所述高地址存储区间和低地址存储区间均包括若干字段。

高地址存储区间和低地址存储区间的字段数相等,每个字段的字节数相等。

每个字段中,第一个字节为段标志字节,最后一个字节为段校验字节;

所述段标志字节用于表征字段有效性,包括段有效标志字节、段损坏标志字节和段为空标志字节;

所述段校验字节用于表征字段正确性。

2)上电后,初始化EEPROM存储器;

初始化EEPROM存储器的步骤包括:

2.1)初始化数据段检索段地址;

2.2)按照索引地址读取EEPROM存储器的段标志字节;

2.3)检查EEPROM存储器的段标志字节是否为段有效标志字节,若是,则进入步骤2.6),否则进入步骤2.4);

2.4)在数据段检索段地址上加入段长度,从而更新数据段检索段地址;

2.5)检查数据段检索段地址是否大于低地址存储区间的最高地址,若是,则跳转到步骤2.14),否则,返回步骤2.2);

2.6)读取EEPROM存储器低地址存储区间当前数据段的数据内容和段校验字节;

2.7)计算低地址存储区间数据内容的校验码;

2.8)比较计算的低地址存储区间数据内容校验码和读取的低地址存储区间段校验字节是否一致,若一致,则进入步骤2.9),否则返回步骤2.4);

2.9)读取EEPROM存储器高地址存储区间当前数据段数据内容和段校验字节;

2.10)计算高地址存储区间数据内容校验码;

2.11)比较计算的高地址存储区间数据内容校验码和读取的高地址存储区间段校验字节是否一致,若一致,则进入步骤12),否则,返回步骤2.4);

2.12)比较读取的低地址区间和高地址区间的数据内容是否一致,若一致,则进入步骤2.13),否则进入步骤2.16);

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