[发明专利]银纳米片@氧化锌纳米棒阵列及其制备方法和用途在审
申请号: | 202210596989.1 | 申请日: | 2022-05-30 |
公开(公告)号: | CN114956600A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 朱储红;李娜;翟海超;杜海威;徐更生;袁玉鹏 | 申请(专利权)人: | 安徽大学 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;G01N21/65 |
代理公司: | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人: | 魏玉娇 |
地址: | 230601 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 氧化锌 阵列 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种银纳米片@氧化锌纳米棒阵列,其特征在于,包括多个在导电衬底上单层阵列排布的银纳米片@氧化锌纳米棒结构单元,所述银纳米片@氧化锌纳米棒结构单元由垂直生长在导电衬底导电面上的氧化锌纳米棒和均匀附着在氧化锌纳米棒表面的银纳米片组成,所述氧化锌纳米棒的长度为0.8-2μm、直径为200-500nm;所述银纳米片为尺寸100-500nm、厚度为5-30nm的不规则片状。
2.一种权利要求1所述的银纳米片@氧化锌纳米棒阵列的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、在氧气气氛中利用等离子体轰击导电玻璃的导电面;
S2、配制Zn(NH3)4(NO3)2溶液即锌氨溶液,将步骤S1中等离子体轰击后的导电衬底竖直放入锌氨溶液中,在70-90℃的水浴条件下生长30-60min后取出,用去离子水清洗并烘干,在导电衬底上制得氧化锌纳米棒阵列;
S3、配制银氨溶液,将生长有氧化锌纳米棒阵列的导电衬底竖直放入银氨溶液中,在40-60℃的水浴条件下生长20-30min后取出,用去离子水清洗并烘干,在导电衬底上制得银纳米颗粒@氧化锌纳米棒阵列;
S4、使用硝酸银、氨水、去离子水和聚乙烯吡咯烷酮制得银电解液,将生长有银纳米颗粒@氧化锌纳米棒阵列的导电衬底置于电解液中作为阴极,石墨片作为阳极,电沉积0.5-2h后取出,用去离子水清洗并用高纯氩气吹干,即在导电衬底上制得银纳米片@氧化锌纳米棒阵列。
3.根据权利要求2所述的银纳米片@氧化锌纳米棒阵列的制备方法,其特征在于,步骤S1中等离子体轰击导电衬底导电面的时间为250-350s,功率为180W,结束后用去离子水清洗1-3次并烘干。
4.根据权利要求2所述的银纳米片@氧化锌纳米棒阵列的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述锌氨溶液的制备方法为:向0.05-0.15mol/L六水合硝酸锌溶液中逐滴滴入26-28wt%浓氨水至溶液澄清即制得。
5.根据权利要求2所述的银纳米片@氧化锌纳米棒阵列的制备方法,其特征在于,步骤S3所述的银氨溶液为含有0.035-0.045mol/L的硝酸银、0.4-0.6mol/L的葡萄糖的水溶液。
6.根据权利要求2所述的银纳米片@氧化锌纳米棒阵列的制备方法,其特征在于,步骤S4中所述银电解液的配制方法为:先将硝酸银粉末完全溶于去离子水中,然后缓慢滴加10wt%氨水,至溶液变得澄清,再加入聚乙烯吡咯烷酮粉末,即制得银电解液。
7.根据权利要求2或6所述的银纳米片@氧化锌纳米棒阵列的制备方法,其特征在于,步骤S4中所述银电解液中含有1.0-2.0g/L的硝酸银和4.0-6.0g/L的聚乙烯吡咯烷酮。
8.一种权利要求1所述的银纳米片@氧化锌纳米棒阵列作为表面增强拉曼散射的活性基底的用途。
9.根据权利要求8所述的银纳米片@氧化锌纳米棒阵列的用途,其特征在于,将银纳米片@氧化锌纳米棒阵列作为表面增强拉曼散射的活性基底,使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的罗丹明6G的含量。
10.根据权利要求9所述的银纳米片@氧化锌纳米棒阵列的用途,其特征在于,所述激光拉曼光谱仪的激发光的波长为532nm或633nm、功率为0.1-2mW、积分时间为0.2-120s。
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