[发明专利]一种硅片位置偏差检测方法及系统在审
申请号: | 202210591740.1 | 申请日: | 2022-05-27 |
公开(公告)号: | CN114993178A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 汪忠伟;李智超;马轶男;韩华超 | 申请(专利权)人: | 国机传感科技有限公司;沈阳仪表科学研究院有限公司 |
主分类号: | G01B11/00 | 分类号: | G01B11/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 110043 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 位置 偏差 检测 方法 系统 | ||
1.一种硅片位置偏差检测方法,其特征在于,所述方法包括:
采集放置在工作台上的硅片的第一硅片图像;所述工作台平面设置有XY坐标轴,水平方向为X轴,竖直方向为Y轴;
将所述第一硅片图像进行霍夫变换方法处理,提取出所述第一硅片图像的偏差中心线;
计算所述偏差中心线与所述X轴和所述Y轴的偏差角度;
获取将所述硅片根据所述偏差角度旋转后的第二硅片图像;所述硅片旋转后的偏差中心线与Y轴平行;
在所述第二硅片图像中提取垂直于所述偏差中心线的标记中心线;
在所述标记中心线上标记第一标记点和第二标记点,所述第一标记点和所述第二标记点关于所述偏差中心线对称;
采集第一标记点图像和第二标记点图像,计算第一偏移量和第二偏移量,将所述第一偏移量和所述第二偏移量带入预测模型得到检测结果。
2.根据权利要求1所述的硅片位置偏差检测方法,其特征在于,所述采集第一标记点图像和第二标记点图像,计算第一偏移量和第二偏移量包括:
平移所述硅片使得所述第一标记点位于所述工作台中心区域,采集所述第一标记点的第一标记点图像,计算所述第一标记点的中心与X轴和Y轴的偏移量X1、Y1;
平移所述硅片使得所述第二标记点移至所述工作台中心区域,采集所述第二标记点的第二标记点图像,计算所述第二标记点的中心与X轴和Y轴的偏移量X2、Y2。
3.根据权利要求1所述的硅片位置偏差检测方法,其特征在于,所述采集第一标记点图像和第二标记点图像前还包括:
在系统数据库中获取硅片类型信息,从所述系统数据库中调出所述硅片类型信息的预测模型;
若系统数据库中没有所述硅片类型信息,建立岭回归模型;
所述建立岭回归模型步骤包括:
采集若干组训练数据,所述训练数据包括所述第一偏移量、所述第二偏移量和偏差值,所述偏差值包括X轴方向偏差、Y轴方向偏差和角度偏差;
将所述训练数据进行岭回归训练,得到岭回归模型;
将所述岭回归模型数据存入所述系统数据库。
4.根据权利要求3所述的硅片位置偏差检测方法,其特征在于,若系统数据库中没有所述硅片类型信息时,
将所述预测模型替换为所述岭回归模型,将所述第一偏移量和所述第二偏移量带入所述岭回归模型得到所述检测结果。
5.根据权利要求1所述的硅片位置偏差检测方法,其特征在于,所述提取出所述第一硅片图像的偏差中心线的步骤前还包括:
检测所述硅片的中心线数量;
若所述硅片的中心线数量为1时,则直接提取偏差中心线;
若所述硅片的中心线数量为0时,则提取距离硅片中心最近的2-4根直线,计算平均斜率,根据所述平均斜率在所述硅片上标记出所述偏差中心线。
6.根据权利要求1所述的硅片位置偏差检测方法,其特征在于,所述第一硅片图像进行霍夫变换方法处理前,还包括:
对所述第一硅片图像进行二值化处理,得到二值化硅片图像;
对所述二值化硅片图像进行反色、形态化、反色处理得到形态化图像。
7.一种硅片位置偏差检测系统,其特征在于,包括:图像采集单元、图像处理单元、运动机构、辅助照明单元、系统数据库;
所述图像采集单元连接有一个高分辨率摄像头和一个低分辨率摄像头,被配置为采集第一硅片图像、第二硅片图像、第一标记点图像和第二标记点图像,并发送至图像处理单元;
所述图像处理单元接收所述第一硅片图像、所述第二硅片图像、所述第一标记点图像和所述第二标记点图像,对所述第一硅片图像进行霍夫变换方法处理,提取出所述第一硅片图像的偏差中心线;
所述运动机构根据偏差角度旋转硅片至所述偏差中心线与工作台的Y轴平行,以及根据检测结果移动并旋转所述硅片;所述工作台中心设置有XY坐标轴,水平方向为X轴,竖直方向为Y轴;
所述辅助照明单元在采集图像时提供照明的光源,根据照明环境切换光源强度;
所述系统数据库保存有预测模型数据,进行偏差检测时调取相应的预测模型,保存岭回归模型数据。
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