[发明专利]一种Fe(Se,Te)超导线材的制备方法有效
申请号: | 202210589567.1 | 申请日: | 2022-05-26 |
公开(公告)号: | CN114822991B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 刘吉星;邵柏淘;张胜楠;冯建情;李成山;李建峰;张平祥 | 申请(专利权)人: | 西北有色金属研究院 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B12/00 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 马小燕 |
地址: | 710016 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 fe se te 超导 线材 制备 方法 | ||
本发明公开了一种Fe(Se,Te)超导线材的制备方法,该方法包括:一、将硒粉与碲粉组成的混合粉体研磨;二、将经研磨后的混合粉体进行压制得到Se‑Te坯体;三、将Se‑Te坯体进行烧结得到SeTe块体;四、将SeTe块体进行高能球磨得到SeTe固溶体粉末;五、将SeTe固溶体粉末装入Fe管中制备成装管体后进行烧结处理得到Fe(Se,Te)超导线材。本发明采用扩散法制备Fe(Se,Te)超导线材,通过精确控制扩散热处理工艺调控SeTe固溶体与Fe包套的扩散反应,获得原位生成的Fe(Se,Te)超导层,解决传统粉末装管法超导芯丝晶界连接性差的问题,提高了Fe(Se,Te)超导线材的超导载流性能。
技术领域
本发明属于超导材料制备技术领域,具体涉及一种Fe(Se,Te)超导线材的制备方法。
背景技术
2008年日本Hosono课题组首次报道了具有26K临界温度的 LaO1-xFxFeAs铁基超导材料,拉开了铁基超导材料研究的序幕。铁基超导材料由于其具有极高的上临界场(Hc2)以及临界电流密度(Jc)较高并且随磁场衰减极为缓慢等优点,使其在未来低温高场的应用条件下替代NbTi、 Nb3Sn成为可能。
在众多铁基超导材料中,尽管FeSe基超导材料的临界温度较低,但是通过在Se位掺杂Te可以有效地提高其临界温度Tc,使其满足在4.2K 的稳定应用。Fe(Se,Te)的Hc2在4.2K下可以达到45T以上,Jc在30T,4.2K 条件下仍可保持105A/cm2这一满足实际应用的数值。因此,制备出性能良好的Fe(Se,Te)超导材料线材对铁基超导的实用化至关重要。
粉末套管法(PIT)制备Fe(Se,Te)线带材对于今后工业量产来说是一个具有潜力的方法。但是目前用PIT制备的Fe(Se,Te)线带材Jc只有103A/cm2,距离实用化要求还有很大距离。制约其Jc提高的最主要原因是低超导芯丝密度导致的晶界弱连接效应。在过去十年中,研究人员提出多种改善 Fe(Se,Te)中Jc的方法。比如开发高能球磨辅助烧结法来提高晶界连接性等。但是上述这些方法并没有完全避免传统的粉末装管法出现的问题:即原位和先位粉末装管法超导芯丝在热处理时出现的Se、Te挥发导致的最终芯丝化学成分偏析以及芯丝孔洞问题。这些问题会导致Fe(Se,Te)超导芯丝晶界弱连接现象的发生。理想的办法是直接能生成冶金结合的符合设计化学成分的Fe(Se,Te)超导相,这样可极大地提高芯丝的晶界连接性和超导载流性能。因此,需要改进粉末装管法的制备工艺来避免超导芯丝晶界弱连接现象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足,提供一种 Fe(Se,Te)超导线材的制备方法。该方法采用扩散法制备Fe(Se,Te)超导线材,通过精确控制扩散热处理工艺调控SeTe固溶体与Fe包套的扩散反应,获得原位生成的Fe(Se,Te)超导层,解决目前传统粉末装管法超导芯丝晶界连接性差的问题,提高了Fe(Se,Te)超导线材的超导载流性能。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种Fe(Se,Te)超导线材的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤一、在充满惰性气体的手套箱中,将混合粉体置于玛瑙研钵中研磨30min~120min;所述混合粉体由硒粉与碲粉按照1~1.5:1的摩尔比组成;
步骤二、在充满惰性气体的手套箱中,将步骤一中经研磨后的混合粉体放入压片模具中并密封,然后取出放置于压片机上进行压制处理,得到 Se-Te坯体;所述压制处理的压力为5MPa~18MPa,时间为10min;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北有色金属研究院,未经西北有色金属研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210589567.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。