[发明专利]具有高Q因子调谐组的压控振荡器

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

压控振荡器，包括：

压控振荡器核，具有第一输出和第二输出；

第一电容器，耦合到所述第一输出；

第二电容器，耦合到所述第二输出；

主晶体管，耦合在所述第一电容器与所述第二电容器之间；以及

电平移位器，耦合到所述第一晶体管的栅极端子。

2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

上拉晶体管，耦合在所述第一电容器与高电源电压之间；以及

下拉晶体管，耦合在所述第一电容器与地之间，其中所述上拉晶体管和所述下拉晶体管接收具有第一状态和第二状态的第一控制信号。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述电平移位器向所述第一晶体管的所述栅极端子输出具有第一状态和第二状态的第二控制信号，其中所述第二控制信号的所述第一状态与所述第二状态之间的差小于所述第一控制信号的所述第一状态与所述第二状态之间的差。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中：

所述第一控制信号的所述第一状态为地；

所述第二控制信号的所述第二状态为所述高电源电压；

所述第二控制信号的所述第一状态在地与所述高电源电压之间；并且

所述第二控制信号的所述第二状态为所述高电源电压。

5.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述上拉晶体管和所述下拉晶体管都大于所述主晶体管。

6.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述上拉晶体管和所述下拉晶体管各自具有比所述主晶体管更高的最大额定电压。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电平移位器接收地和所述高电源电压，并且选择性地输出所述高电源电压和高于地的电压。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述电平移位器向所述主晶体管输出控制信号，以选择性地调节来自所述压控振荡器核的振荡信号的频率。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一输出提供第一振荡信号，其中所述第二输出提供第二振荡信号，所述第二振荡信号是所述振荡信号的逻辑互补。

10.一种方法，包括：

利用压控振荡器核生成振荡信号；

利用电平移位器接收第一控制信号；

利用所述电平移位器，通过对所述第一控制信号进行电平移位来生成第二控制信号；以及

通过选择性地向耦合到所述压控振荡器核外部的调谐电容器的晶体管的栅极端子施加所述第二控制信号，来调节所述振荡信号的频率。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

向耦合在所述调谐电容器与高电源电压之间的上拉晶体管施加所述第一控制信号；以及

向耦合在所述调谐电容器与地之间的下拉晶体管施加所述第一控制信号。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述主晶体管被耦合在所述第一调谐电容器与第二调谐电容器之间。

13.根据权利要求12所述的方法，其中调节所述振荡信号的频率包括：通过向所述主晶体管的所述栅极端子施加所述第二控制信号，将所述第一调谐电容器电耦合到所述第二调谐电容器。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一控制信号能够在高电源电压与地之间切换。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二控制信号能够在所述高电源电压与大于地并且小于所述高电源电压的电压之间切换。