[发明专利]一种PTC热敏电阻元件加工工艺在审
| 申请号： | 202210585081.0 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN115331902A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 张程;董朕宇 | 申请（专利权）人： | 昆山聚达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ptc 热敏电阻 元件 加工 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种PTC热敏电阻元件加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：
S1，原料准备：分别准备59％HDPE高密度聚乙烯、10％CB碳黑材料和10％半导体导热陶瓷粉末；
S2，高分子混炼：将S1中原料按体积百分比加入双螺杆混练机中进行预混、混炼，得到导电聚合物，温度为200℃，预混时间3分钟，混炼时间15分钟；
S3，薄片成型，混炼得到导电聚合物通过热压机压成薄片，将该薄片切成约20公分×20公分的正方形；
S4，基材成型，通过热压机将两镀镍铜箔贴合至S3中的薄片两面，形成基材；
S5，PCT芯片成型，将基材经过照光50kgy，通过冲床冲压出PTC芯片，组装成组件，即过电流保护的PTC热敏电阻元件。
2.根据权利要求1所述的一种PTC热敏电阻元件加工工艺，其特征在于：S1中半导体导热陶瓷粉末采用Al2O3二氧化铝、TiO2二氧化钛或AlN氮化铝。
3.根据权利要求1所述的一种PTC热敏电阻元件加工工艺，其特征在于：S3和S4中热压机的热压温度为210℃，热压压力为150kg/cm2。
4.根据权利要求1所述的一种PTC热敏电阻元件加工工艺，其特征在于：所述PTC热敏电阻元件厚度0.25mm。
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