[发明专利]超窄带超表面吸收器在审
| 申请号： | 202210571503.9 | 申请日： | 2022-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN115113309A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 高扬;刘畅;张景煜;冯恒利;房冬超;王金成;张作鑫 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 岳昕 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 窄带 表面 吸收 | ||
1.超窄带超表面吸收器，由多个相同细胞单元阵列组成，其特征在于，每个细胞单元由基底层(1)、介质层(2)、底层圆环(3)、中层介质圆环(4)、顶层圆环(5)、底层长方体(6)、中层介质长方体(7)和顶层长方体(8)组成；
所述介质层(2)紧贴于基底层(1)上方，介质层(2)上设置有由底层圆环(3)和底层长方体(6)组成的结构；所述底层圆环(3)上依次覆盖有中层介质圆环(4)和顶层圆环(5)；所述底层长方体(6)上依次覆盖有中层介质长方体(7)和顶层长方体(8)。
2.根据权利要求书1所述的超窄带超表面吸收器，
其特征在于，
底层圆环(3)、中层介质圆环(4)和顶层圆环(5)的结构参数相同；
底层长方体(7)中层介质长方体(7)和顶层长方体(8)的结构参数相同。
3.根据权利要求2所述的超窄带超表面吸收器，
其特征在于，
在基底层(1)中，x方向的周期Px＝500nm，y方向的周期Py＝500nm，高度h1＝100nm；
在介质层(2)中，x方向的周期Px＝500nm，y方向的周期Py＝500nm，高度h2＝200nm；
在底层圆环(3)、中层介质圆环(4)和顶层圆环(5)中，外圆直径d1＝100nm，内圆直径d2＝20nm，高度h3＝35nm；
在底层长方体(6)、中层介质长方体(7)和顶层长方体(8)中，x方向的宽度Wx＝28nm，y方向的宽度Wy＝200nm，高度h4＝28nm。
4.根据权利要求书1、2或3所述的超窄带超表面吸收器，其特征在于，所述基底层(1)为硅材料，所述介质层(2)为二氧化硅材料，所述底层圆环(3)为银材料，所述中层介质圆环(4)为二氧化硅材料，所述顶层圆环(5)为银材料，所述底层长方体(6)为银材料，所述中层介质长方体(7)为二氧化硅材料，所述顶层长方体(8)为银材料。
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