[发明专利]用于CMOS信号路径的前馈电流补偿在审
| 申请号: | 202210561733.7 | 申请日: | 2020-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN114978143A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
| 发明(设计)人: | 乔纳·爱德华·纳特根斯 | 申请(专利权)人: | 商升特公司 |
| 主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003;H03K19/017;H03K19/0948;H02M3/07 |
| 代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 韩雪梅 |
| 地址: | 美国加利福尼亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 cmos 信号 路径 馈电 补偿 | ||
1.一种半导体器件,包括:
CMOS信号路径,所述CMOS信号路径包括耦接用于从数据端子接收数据信号的输入端;以及
副本CMOS信号路径,所述副本CMOS信号路径包括耦接用于接收所述数据信号的输入端,并且所述副本CMOS信号路径还包括响应于所述数据信号以在所述数据信号的每次转换时将前馈补偿电流提供到所述CMOS信号路径的第一电源轨中的输出端,其中,电荷的包响应于所述数据信号的每次转换而提供与所述CMOS信号路径的电源电流的预期变化相等且相反的所述前馈补偿电流。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括电压调节器,所述电压调节器耦合至所述CMOS信号路径的所述电源轨,以提供电源电流的平衡,所述平衡包括所述CMOS信号路径的所述电源电流与所述前馈补偿电流之间的任何失配。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述CMOS信号路径和所述副本CMOS信号路径各自包括多个串联耦合的缓冲器或反相器。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括耦合在所述数据端子与所述副本CMOS信号路径的所述输入端之间的电平移位器。
5.一种半导体器件,包括:
CMOS信号路径,所述CMOS信号路径包括耦合用于从数据端子接收数据信号的输入端;以及
补偿电路,所述补偿电路耦合到所述CMOS信号路径的电源轨,并响应于所述数据信号,用于在所述数据信号的每次转换时,将前馈补偿电流注入所述电源轨中,其中,电荷的包响应于所述数据信号的每次转换提供与所述CMOS信号路径的电源电流的预期变化相等且相反的所述前馈补偿电流。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,还包括电压调节器,所述电压调节器耦合至所述CMOS信号路径的所述电源轨,以提供电源电流的平衡,所述平衡包括所述CMOS信号路径的所述电源电流与所述前馈补偿电流之间的任何失配。
7.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,所述补偿电路包括副本CMOS信号路径,所述副本CMOS信号路径包括多个串联耦合的缓冲器或反相器,所述多个串联耦合的缓冲器或反相器具有耦合用于接收所述数据信号的输入端,以及在所述数据信号的每次转换时将所述前馈补偿电流提供到所述CMOS信号路径的所述电源轨中的输出端。
8.根据权利要求7所述的半导体器件,还包括耦合在所述数据端子与所述副本CMOS信号路径的所述输入端之间的电平移位器。
9.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,所述补偿电路包括:
副本CMOS信号路径,所述副本CMOS信号路径包括耦合用于接收所述数据信号的输入端;
第一电压调节器,所述第一电压调节器包括耦合至所述副本CMOS信号路径的电源轨的输出端,其中,所述第一电压调节器包括晶体管,所述晶体管具有耦合至所述第一电压调节器的所述输出端的第一导电端子;以及
电流镜像,所述电流镜像包括耦合至所述晶体管的第二导电端子的输入端以及在所述数据信号的每次转换时将所述前馈补偿电流注入到所述CMOS信号路径的所述电源轨中的输出端。
10.一种制造集成电路的方法,包括:
提供CMOS信号路径,所述CMOS信号路径包括耦合用于从数据端子接收数据信号的输入端;以及
提供补偿电路,所述补偿电路耦合至所述CMOS信号路径的电源轨,并响应于所述数据信号,用于在所述数据信号的每次转换时将前馈补偿电流注入到所述电源轨中,其中,电荷的包响应于所述数据信号的每次转换而提供与所述CMOS信号路径的电源电流的预期变化相等且相反的所述前馈补偿电流。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括提供电压调节器,所述电压调节器耦合至所述CMOS信号路径的所述电源轨以提供电源电流的平衡,所述平衡包括所述CMOS信号路径的所述电源电流与所述前馈补偿电流之间的任何失配。
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