[发明专利]薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质

权利要求书

1.一种薄膜沉积模拟方法，用于建立数字化薄膜模型以模拟薄膜沉积过程，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；

根据所述第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；

根据所述第一相场参量耦合所述弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使所述弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；

根据所述薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；

所述根据所述第一相场参量耦合所述弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使所述弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型的步骤包括：

根据所述第一相场参量获取所述弹道沉积相场模型的局部固体密度参量，耦合所述局部固体密度参量和所述固态薄膜的杨氏模量，获取关于所述局部固体密度参量的杨氏模量；

根据所述关于所述局部固体密度参量的杨氏模量和预设的位移场获取应力方程；

根据所述应力方程和所述力学平衡方程生成所述薄膜沉积模型。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积模拟方法，其特征在于，所述根据所述第一相场参量获取所述弹道沉积相场模型的局部固体密度参量的步骤包括：

定义所述局部固体密度参量为f_d，所述局部固体密度参量满足：

f_d=（f+f_max）/2；

f为所述第一相场参量，f_max为所述第一相场参量的最大值。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积模拟方法，其特征在于，所述局部固体密度参量的杨氏模量具有残余模量系数。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积模拟方法，其特征在于，所述根据所述薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟的步骤包括：

根据反应条件及薄膜材质设定所述弹道沉积相场模型的现象学参数及所述固态薄膜的杨氏模量和泊松比；

将所述弹道沉积相场模型的现象学参数及所述固态薄膜的杨氏模量和泊松比输入至所述薄膜沉积模型中，并利用所述薄膜沉积模型模拟薄膜沉积生成薄膜图像信息。

5.根据权利要求4所述的薄膜沉积模拟方法，其特征在于，所述根据所述薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟的步骤还包括：

利用所述薄膜沉积模型模拟薄膜沉积生成应力分布图像信息。

6.根据权利要求1所述的薄膜沉积模拟方法，其特征在于，所述弹道沉积相场模型包括关于所述第一相场参量的薄膜相控制方程和关于所述第二相场参量的蒸汽控制方程。