[发明专利]一种储能装置及其控制方法、以及光伏系统在审
申请号: | 202210546637.5 | 申请日: | 2022-05-19 |
公开(公告)号: | CN114938046A | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 曹震;张涛;王众 | 申请(专利权)人: | 华为数字能源技术有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02J7/35;H02H7/22 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 李稷芳 |
地址: | 518043 广东省深圳市福田区香蜜湖街道香*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 装置 及其 控制 方法 以及 系统 | ||
一种储能装置及其控制方法、以及光伏系统,包括多个串联的储能模块,每个储能模块包括电源模块、吸收模块、第一开关器件、第二开关器件和控制模块,电源模块和第一开关器件串联在储能模块的两端,电源模块和第二开关器件并联在储能模块的两端;控制模块用于控制多个储能模块中任一储能模块的第一开关器件闭合和第二开关器件断开,以使任一储能模块和其它储能模块串联耦合;控制任一储能模块的第一开关器件断开和第二开关器件闭合,以使旁路任一储能模块;吸收模块用于在第一开关器件或第二开关器件导通前进行充电,并在第一开关器件或第二开关器件导通后吸收第一开关器件或第二开关器件断开时的尖峰电压。本申请可以提高储能装置的安全性。
技术领域
本申请实施例涉及电子电力技术领域,具体涉及一种储能装置及其控制方法、以及光伏系统。
背景技术
电力电子器件,如金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide SemiconductorField-Effect Transistor,MOSFET)和绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor,IGBT),广泛应用于功率变换场合,例如变频器、镇流器、电源适配器、风电光伏、开关控制、电池的接入与旁路和静止无功发生器(Static Var Generator,SVG)模组旁路控制等。
电力电子器件导通速度快,开关损耗低,能量密度高,但其耐压以及过流能力相对较低。当电子器件在作为电池中的开关保护器件时,在大电流状态下切断,通常会伴随着较大的电压应力。若器件承受的电压应力超过其规格范围,会导致器件损坏,影响电池的使用。
发明内容
本申请实施例提供了一种储能装置及其控制方法、以及光伏系统,可以提高储能装置的安全性。
第一方面,本申请提供了一种储能装置,该储能装置包括多个串联的储能模块,多个储能模块中的每个储能模块包括电源模块、吸收模块、第一开关器件、第二开关器件和控制模块,其中:每个储能模块中,电源模块和第一开关器件串联在储能模块的正极端和负极端之间,电源模块和第二开关器件并联在储能模块的正极端和负极端之间;控制模块,用于控制多个储能模块中任意一个储能模块的第一开关器件闭合和第二开关器件断开,以使任意一个储能模块和其它储能模块串联耦合,其它储能模块为多个储能模块中除任意一个储能模块之外的储能模块;控制模块,用于控制任意一个储能模块的第一开关器件断开和第二开关器件闭合,以使旁路任意一个储能模块;吸收模块,用于在第一开关器件或第二开关器件的开关管导通前进行充电,并在第一开关器件或第二开关器件导通后,吸收第一开关器件或第二开关器件断开时产生的尖峰电压。
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