[发明专利]一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池

权利要求书

1.一种电子钝化接触结构，包括电池背端用电子钝化接触结构和/或电池前端用电子钝化接触结构，其特征在于，

所述电池背端用电子钝化接触结构包括，

n型硅衬底和沉积在所述n型硅衬底上的电子钝化接触层A，所述电子钝化接触层A的表面覆盖有金属电极；

所述电池前端用电子钝化接触结构包括，

n型硅衬底和沉积在所述n型硅衬底上的电子钝化接触层B，所述电子钝化接触层B的表面覆盖有氧化锌基透明电极；所述氧化锌基透明电极的表面覆盖有栅线状金属电极；

所述电子钝化接触层A和电子钝化接触层B均为AlF₃薄膜或钝化层和AlF₃薄膜形成的叠层薄膜。

2.如权利要求1所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述氧化锌基透明电极为本征氧化锌基透明电极或掺杂氧化锌基透明电极。

3.如权利要求1或2所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述氧化锌基透明电极的厚度为10-200nm。

4.如权利要求2所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述掺杂氧化锌基透明电极中的掺杂元素包括氢、硼、铝、镓和铟中的一种或几种。

5.如权利要求1所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述钝化层的材料为a-Si:H、SiO₂、TiO₂和Ta₂O₅中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述钝化层的厚度为1-10nm。

7.如权利要求1所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述AlF₃薄膜的厚度为1-10nm。

8.如权利要求1-7中任一项所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述电池背端用电子钝化接触结构的制备方法包括如下步骤：

S1：向所述n型硅衬底的表面沉积AlF₃薄膜；或先沉积钝化层再沉积AlF₃薄膜，得到复合层C；

S2：向所述复合层C的表面覆盖所述金属电极，得到所述电池背端用电子钝化接触结构。

9.如权利要求1-7中任一项所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述电池前端用电子钝化接触结构的制备方法包括如下步骤：

(1)向所述n型硅衬底的表面沉积AlF₃薄膜；或先沉积钝化层再沉积AlF₃薄膜，得到复合层D；

(2)向所述复合层D的表面沉积氧化锌基透明电极，得到复合层E；

(3)向所述复合层E的表面覆盖所述栅线状金属电极，得到所述电池前端用电子钝化接触结构。

10.一种晶硅太阳电池，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的电子钝化接触结构。