[发明专利]一种单双极性混合BCM控制模式的单相逆变器控制系统

权利要求书

1.一种单双极性混合BCM控制模式的单相逆变器控制系统，包括调制电路，其特征在于：所述调制电路的一侧电性连接有电源V_A，所述调制电路中包括有四个IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件，四个所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件上分别连有续流滤波电路，负载电阻Z上电性连接有LC滤波器；

四个所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件中包括有电性连接的IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q1、IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q2、IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q3、IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q4；

所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q1的漏极与所述电源VA的正极电性连接，所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q2的漏极与所述电源VA的正极电性连接；

所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q1的源极与所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q4的漏极电性连接，所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q4的源极与所述电源VA的负极电性连接；

所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q2的源极与所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q3的漏极电性连接，所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q3的源极于所述电源VA的负极电性连接；

所述LC滤波器包括有电感L和电容C5，所述电感L的一端连接在IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q1和IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q4之间，所述电感L的另一端连接在负载电阻Z的正极，所述负载电阻Z的负极连接在IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q2和IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q3之间，所述电容C5并联在负载电阻Z的两端；

所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q1上并联连接有并联的二极管D1和电容C1组成的续流滤波电路，所述二极管D1和所述电容C1并联连接在所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q1的漏极和源极上，所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q4上并联连接有并联的二极管D4和电容C4组成的续流滤波电路，所述二极管D4和所述电容C4并联连接在所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q4的漏极和源极上；

所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q2上并联连接有并联的二极管D2和电容C2组成的续流滤波电路，所述二极管D2和所述电容C2并联连接在所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q2的漏极和源极上，所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q3上并联连接有并联的二极管D3和电容C3组成的续流滤波电路，所述二极管D3和所述电容C3并联连接在所述IGBT或MOSFET可控半导体开关功率器件Q3的漏极和源极上；

包括以下方法步骤：S1、检测电压过零点，循环检测逆变电感过流标志位，若过流切换成保护模式，若不过流则正常运行；S2、检测容性负载阻抗角，若负载的阻抗角超过30°，则采用单极性BCM模式作为主要控制，在容性30°至感性30°之间，切换成单双极性混合BCM控制方式；S3、在频率过零点和频率畸变点用双极性控制过渡，把频率限制在合理范围，同时保持单极性BCM调制的优点，以提升单极性BCM模式的负载适应性。