[发明专利]一种基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片及其制造工艺

权利要求书

1.一种基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片，其特征在于，所述基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片包括衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片；

所述衬底上设置有腔体或槽体，所述衬底通过支撑柱与所述高阻片连接，所述支撑柱与所述高阻片之间设置有所述SAW谐振层和所述BAW谐振层；

所述SAW谐振层和所述BAW谐振层通过第一导线连接，且所述BAW谐振层设置在所述腔体或所述槽体上；

所述衬底上或所述高阻片上设置有引脚，所述引脚通过第二导线分别与所述SAW谐振层和所述BAW谐振层连接。

2.根据权利要求1所述的基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片，其特征在于，所述BAW谐振层包括第一电极层、介质层和第二电极层；

所述第一电极层设置在所述腔体或所述槽体上，所述介质层设置在所述第一电极层上，所述第二电极层设置在所述介质层上；

所述第一电极层上设置有电极层子块；

所述第一电极层通过所述第二导线与所述引脚连接，所述第一导线将所述第二电极层、所述介质层、所述电极层子块和所述SAW谐振层串联起来。

3.根据权利要求1所述的基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片，其特征在于，所述SAW谐振层和所述BAW谐振层设置在由所述衬底、所述高阻片和所述支撑柱构成的封闭空间中，其中所述SAW谐振层和所述BAW谐振层被所述支撑柱分隔开。

4.一种基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片制造工艺包括：

在衬底和BAW谐振层之间设置牺牲层；

在所述衬底上设置SAW谐振层，并通过第一导线连接所述BAW谐振层和所述SAW谐振层；

在所述衬底上设置支撑柱，在所述支撑柱上设置高阻片；

利用减薄工艺削减所述衬底和所述高阻片的厚度，并使得所述衬底上的所述牺牲层成为腔体或槽体；

在所述衬底上或所述高阻片上设置引脚，通过第二导线将所述引脚分别与所述SAW谐振层、所述BAW谐振层连接。

5.根据权利要求4所述的基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述在衬底和BAW谐振层之间设置牺牲层，包括以下步骤：

利用光刻刻蚀工艺在所述衬底上设置凹槽；

在所述凹槽中填充牺牲层材料；

利用CMP抛光工艺对所述衬底表面进行抛光处理；

在所述凹槽上设置第一电极层，利用光刻刻蚀工艺从所述第一电极层中分离出电极层子块；

在所述第一电极层上设置介质层；

在所述介质层上设置第二电极层；

利用湿法腐蚀工艺去除所述凹槽中的牺牲层材料，得到所述牺牲层。

6.根据权利要求4所述的基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述在所述衬底上设置SAW谐振层，并通过第一导线连接所述BAW谐振层和所述SAW谐振层，包括以下步骤：

利用PVD工艺在所述衬底上形成种籽层；

通过电镀工艺在所述种籽层上形成第一导线以及所述SAW谐振层，并使得所述SAW谐振层与所述BAW谐振层连接。

7.根据权利要求4所述的基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述在所述衬底上设置支撑柱，在所述支撑柱上设置高阻片，包括以下步骤：

在所述衬底上设置绝缘层；

利用干法工艺和湿法工艺去除所述绝缘层中间部分的材料，使所述SAW谐振层与所述BAW谐振层裸露出来，并得到所述支撑柱；

利用CMP抛光工艺对所述支撑柱进行抛光处理；

利用键合工艺在所述支撑柱上设置所述高阻片，使所述衬底和所述高阻片之间形成封闭空间。

8.根据权利要求4所述的基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述在所述衬底上或所述高阻片上设置引脚，通过第二导线将所述引脚分别与所述SAW谐振层、所述BAW谐振层连接，包括以下步骤：

利用TSV工艺在所述衬底上或所述高阻片上开设通孔；

利用PVD工艺在通孔上设置种籽层；

利用电镀铜工艺在通孔形成所述第二导线；

利用高温回流工艺在所述衬底上或所述高阻片上设置所述引脚，使得所述引脚通过第二导线分别连接所述SAW谐振层和所述BAW谐振层。