[发明专利]一种连续化镀膜制备系统及方法

权利要求书

1.一种连续化镀膜制备系统，其特征在于：包括高能电子束轰击装置、超敏磁过滤装置和纳米层沉积装置，所述高能电子束轰击装置与超敏磁过滤装置相连通，所述超敏磁过滤装置与受电场控制的纳米层沉积装置相连通；所述纳米层沉积装置包括镀膜仓，所述镀膜仓内设置有用来缠绕沉积基底的多卷轴联动装置，所述镀膜仓设有磁过滤进口和气体源出口，所述磁过滤进口与超敏磁过滤装置的等离子体出口相连通。

2.根据权利要求1所述一种连续化镀膜制备系统，其特征在于：在所述镀膜仓内设置有基座和沉积基底，所述沉积基底位于所述基座的表面。

3.根据权利要求1所述一种连续化镀膜制备系统，其特征在于：所述高能电子束轰击装置包括相连接的高能电子束激发装置和等离子体发生装置，所述等离子体发生装置内设有样品放置台，所述样品放置台上设置有固体靶材。

4.根据权利要求1所述一种连续化镀膜制备系统，其特征在于：所述超敏磁过滤装置包括磁过滤外部管道和磁过滤内部管道，在所述磁过滤内部管道的外壁上套有线圈，所述磁过滤内部管道的一端设有等离子体进口，另一端设有等离子体出口，所述等离子体进口与等离子体发生装置的出口相连通，所述等离子体出口与镀膜仓的磁过滤进口相连通。

5.根据权利要求1所述一种连续化镀膜制备系统，其特征在于：所述多卷轴联动装置包括驱动电机和卷轴组件，所述卷轴组件包括主动卷轴和从动卷轴，所述主动卷轴与驱动电机连接，并且所述主动卷轴通过金属箔与从动卷轴相连，所述金属箔的一端连接镀膜前的金属箔收集装置，另一端连接镀膜后的金属箔收集装置。

6.一种连续化镀膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、对固体靶材进行高能电子束轰击后得到等离子体A；

步骤2、对等离子体A进行磁过滤处理，得到颗粒均匀的等离子体B；

步骤3、等离子体B进入镀膜仓中在真空条件下进行镀膜，采用电场控制分步均匀地沉积在设置于镀膜仓内的沉积基底上，并精准调控镀层厚度，得到复合涂层。

7.根据权利要求6所述一种连续化镀膜的制备方法，其特征在于，所述固体靶材为固体金属、固体非金属或二者混合物；所述沉积基底为金属箔。

8.根据权利要求6所述一种连续化镀膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，固体靶材进行高能电子束轰击的电流为100～130A；所述步骤2中，磁过滤筛选的磁过滤电流为1.6～2.5A，负偏压为160～320V；所述步骤3中，电场为0.1～1NC/V。

9.根据权利要求6所述一种连续化镀膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，镀膜时，镀膜仓内实行多轴控制将基底缠绕至卷轴上，实现连续化转动；卷轴上转动的金属箔的四个面同时对着磁过滤出口，四个源可同时在四个面上镀膜，提高了效率。

10.根据权利要求9所述一种连续化镀膜的制备方法，其特征在于，所述卷轴的数目为4，相邻两轴间距为50cm，卷轴转动速度为0.1～100mm/s；镀膜环境的真空度为1×10^-5～1×10^-4Pa，镀膜温度为25℃，镀膜时间为1～60min；工作源数目为4。