[发明专利]光学子组件和光学组件

权利要求书

1.一种光学子组件，包括：

集成电路(IC)驱动器芯片；

再分布层(RDL)结构，设置在所述IC驱动器芯片的表面上，

其中所述RDL结构包括腔；以及

垂直腔表面发射激光器(VCSEL)设备，设置在所述RDL结构的表面的位于所述RDL结构的所述腔内的区域上。

2.根据权利要求1所述的光学子组件，其中所述IC驱动器芯片包括以下中的至少一个：

硅(Si)；

磷化铟(InP)；

或砷化镓(GaAs)。

3.根据权利要求1所述的光学子组件，其中所述VCSEL设备包括：

短波红外(SWIR)VCSEL设备；

氧化物限制的VCSEL设备；

注入物限制的VCSEL设备；

台面约束的VCSEL设备；

顶部发射VCSEL设备；或

底部发射VCSEL设备。

4.根据权利要求1所述的光学子组件，还包括钝化层，

其中所述钝化层设置在所述IC驱动器芯片的所述表面的至少一部分上。

5.根据权利要求1所述的光学子组件，其中所述RDL结构包括一个或多个接合焊盘，

其中所述一个或多个接合焊盘设置在所述IC驱动器芯片的所述表面的相应区域上。

6.根据权利要求1所述的光学子组件，其中所述RDL结构包括一个或多个金属层和d。

7.根据权利要求1所述的光学子组件，其中所述RDL结构包括一个或多个金属层和一个或多个介电层，并且

其中所述一个或多个金属层和所述一个或多个介电层以交替顺序布置。

8.根据权利要求1所述的光学子组件，其中所述RDL结构包括一个或多个金属层，并且其中：

一个或多个金属层中的特定金属层被配置为VCSEL设备的接地。

9.根据权利要求1所述的光学子组件，其中所述RDL结构包括一个或多个金属层，并且其中：

一个或多个金属层中的特定金属层被配置为VCSEL设备的阴极。

10.根据权利要求1所述的光学子组件，还包括电容器，

其中所述电容器设置在所述RDL结构的所述表面的不在所述RDL结构的所述腔内的另一区域上。

11.一种光学组件，包括：

基板；

光学子组件，所述光学子组件设置在所述基板的表面的区域上；

壳体，所述壳体设置在所述基板的所述表面的另一区域上；

第一光学元件，所述第一光学元件设置在所述壳体的第一支撑部件上；以及

第二光学元件，所述第二光学元件设置在所述壳体的第二支撑部件上，

其中所述光学子组件包括：

集成电路(IC)驱动器芯片，

再分布层(RDL)结构，所述再分布层(RDL)结构设置在所述IC驱动器芯片的表面上，

其中所述RDL结构包括腔，并且

垂直腔表面发射激光器(VCSEL)设备，所述VCSEL设备设置在所述RDL结构的表面的位于所述RDL结构的所述腔内的区域上。

12.根据权利要求11所述的光学组件，其中，所述基板是引线框架或开腔陶瓷基板。

13.根据权利要求11所述的光学组件，其中，所述第一光学元件是塑料准直透镜，并且经由一个或多个超声波焊接或一个或多个激光焊接中的至少一个附接到所述第一支撑部件。

14.根据权利要求11所述的光学组件，其中所述第二光学元件是衍射光学元件(DOE)或漫射器中的至少一个，并且经由附接材料附接到所述第二支撑部件。