[发明专利]基于锡合金电极应用的微发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于锡合金电极应用的微发光器件，包括衬底及及设置于所述衬底表面且通过沟槽相互隔离的若干个LED阵列单元，其特征在于，所述LED阵列单元包括：

外延叠层，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

DBR结构层，其包括沿所述外延叠层的表面依次层叠的DBR反射层和应力缓冲层，且所述DBR结构层具有第一通孔和第二通孔，且所述第二通孔裸露所述台面的部分表面，所述第一通孔裸露所述凹槽的部分表面；

第一电极，其沉积于所述第一通孔与所述第一型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面；且所述第一电极包括锡合金电极；

第二电极，其沉积于所述第二通孔与所述第二型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面，且所述第二电极包括锡合金电极，所述第二电极与所述第一电极相互远离设置。

2.根据权利要求1所述的基于锡合金电极应用的微发光器件，其特征在于，所述应力缓冲层包括有机硅弹性体，用于缓冲锡合金电极在高温回流时的应力挤压。

3.根据权利要求1所述的基于锡合金电极应用的微发光器件，其特征在于，在所述第一通孔和所述第二通孔内设有金属填充层，所述第一电极和第二电极层叠于对应通孔内的金属填充层表面。

4.根据权利要求3所述的基于锡合金电极应用的微发光器件，其特征在于，所述金属填充层的厚度与所述DBR结构层的厚度等同。

5.根据权利要求4所述的基于锡合金电极应用的微发光器件，其特征在于，所述金属填充层包括依次层叠的隔离层与填充层；其中，所述隔离层包括Ti层，所述填充层包括Al层。

6.根据权利要求3所述的基于锡合金电极应用的微发光器件，其特征在于，在所述台面铺设有透明导电层，且在所述透明导电层表面及所述凹槽底面分别形成电极扩展条，所述金属填充层层叠于所述电极扩展条的部分表面。

7.根据权利要求6所述的基于锡合金电极应用的微发光器件，其特征在于，所述电极扩展条通过通孔嵌入所述透明导电层的方式与所述第二型半导体层形成连接。

8.根据权利要求1所述的基于锡合金电极应用的微发光器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极分别包括：依次堆叠的反射层、互溶阻挡层、共晶互溶层以及锡合金层。

9.根据权利要求8所述的基于锡合金电极应用的微发光器件，其特征在于，所述互溶阻挡层包括Ni-V合金层。

10.根据权利要求8所述的基于锡合金电极应用的微发光器件，其特征在于，所述共晶互溶层包括Au、Ag、Cu、Al、Pb、Sb、Bi中的一种或多种。

11.根据权利要求8所述的基于锡合金电极应用的微发光器件，其特征在于，所述锡合金层包括Sn-Ag-Cu合金层。

12.根据权利要求8所述的基于锡合金电极应用的微发光器件，其特征在于，在所述反射层背离所述互溶阻挡层的一侧还设有金属黏附层。