[发明专利]改善闪存的读取重试的方法、控制器以及相关存储装置

说明书

本发明公开了一种管理闪存模块的多个存储单元的方法。所述方法包括：针对每一第一存储单元的数据写入时间建立对应于所述第一存储单元的编程时戳；根据所述第一存储单元的所述编程时戳，选择相对应的读取重试表来对所述第一存储单元进行读取操作；以及根据已写入数据的第一存储单元的编程时戳，执行第一刷新操作。通过周期性地对已写入数据的第一存储单元进行刷新，并且在每个使用历程中执行前一个使用历程中有写入的存储单元，本发明能够有效地减少所需的读取重试表的数量。此外，通过周期性地选择第二存储单元的部分进行错误检查，本发明能够更好地保证读读取重试表的数量在减少后仍能有效率地进行读取重试，进而改善读取重试的效率。

本申请是申请日为2019年02月12日、申请号为201910111370.5、发明创造名称为“改善闪存的读取重试的方法、控制器以及相关存储装置”的中国发明申请的分案申请。

技术领域

本发明关于闪存，尤其关于一种用于改善闪存的读取重试的方法与相关控制器及相关存储装置。

背景技术

近年来，闪存的使用越来越普及，尤其在各类行动装置上。原因在于，闪存相较于其他的现有存储装置，具有高速、高密度与非挥发性等特点。然而，尽管闪存具备上述的诸多优点，但仍存在不得不正视的缺陷，那就是使用寿命与数据保存性(Data Retention)。闪存中的存储单元(如，区块)，常会在一定次数的使用后，发生错误，造成无法读出正确的数据。其中，造成错误的原因主要与抹写次数(Program/Erase Cycles)与数据存储时间有关。通常来说，闪存在历经越多的抹写次数后，或者是在长时间未更新存储数据时，都有更高的错误发生机率。因此，控制器往往需要对闪存进行读取重试，通过调整读取电压，来提高正确读出数据的机会。但读取重试的过程中，可能会根据上述的抹写次数与数据存储时间等变因，尝试多种不同的读取电压组合，以正确读出数据。然而，这样的过程会增加延迟，降低读取效率。

发明内容

有鉴于上述所提到的问题，本发明公开一种闪存装置的管理机制，从而改善读取重试。其中，本发明的方法通过定期地刷新闪存中的存储单元中所存储的数据，减少数据存储时间对读取重试的影响。也就是说，存储单元中的数据的存储时间都在一个较小的范围内变动，所以可以有效地降低读取重试中读取电压的调整幅度。另一方面，本发明也加入错误检查机制，针对错误率过高的存储单元，进行有条件的刷新，如此也可以减轻读取重试操作的负担。

本发明的一实施例公开一种管理一闪存模块中的多个存储单元的方法。所述方法包括：针对每一第一存储单元的数据写入时间建立一个对应于所述第一存储单元的一编程时戳；根据所述第一存储单元的所述编程时戳，选择相对应的一读取重试表来对所述第一存储单元进行一读取操作；以及根据已写入数据的第一存储单元的编程时戳，执行一第一刷新操作。

本发明的一实施例公开一种管理一闪存的多个存储单元的控制器。所述控制器包括：一存储单元以及一处理单元。所述存储单元用以存储一程序码。所述处理单元耦接于所述存储单元，用以从所述存储单元中读取所述程序码，以执行所述程序码，从而进行以下操作：针对每一第一存储单元的数据写入时间建立一个对应于所述第一存储单元的一编程时戳；根据所述第一存储单元的所述编程时戳，选择相对应的一读取重试表来对所述第一存储单元进行一读取操作；以及根据已写入数据的第一存储单元的编程时戳，执行一第一刷新操作。

本发明的一实施例公开一种存储装置。所述存储装置包括：一闪存模块与一控制器。所述闪存模块包括多个存储单元。所述控制器用以对闪存模块进行存取，包括：一存储单元与一处理单元。所述存储单元用以存储一程序码。所述处理单元耦接于所述存储单元，用以从所述存储单元中读取所述程序码，以执行所述程序码，从而进行以下操作：针对每一第一存储单元的数据写入时间建立一个对应于所述第一存储单元的一编程时戳；根据所述第一存储单元的所述编程时戳，选择相对应的一读取重试表来对所述第一存储单元进行一读取操作；以及根据已写入数据的第一存储单元的编程时戳，执行一第一刷新操作。

附图说明

图1绘示本发明实施例的相关存储装置、控制器与闪存模块的架构。