[发明专利]一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜及其制备方法。所述石墨烯屏蔽薄膜的制备方法包括以下步骤：步骤S1：以聚对苯二甲酸乙二醇酯为基膜，将其电晕处理；得到预处理基膜；步骤S2：将预处理基膜表面旋涂磁性石墨烯溶液，第一次处理；旋涂银纳米线溶液，第二次处理；旋涂氧化石墨烯溶液，第三次处理；重复“第一次处理‑第三次处理”2～4次；置于丙酮溶液中浸渍；洗涤、干燥；得到石墨烯屏蔽薄膜。有益效果：通过磁性石墨烯溶液、银纳米线溶液、氧化石墨烯溶液的逐层涂覆，增强分散效果，在保证透光率大于80％的基础上，增强抗电磁屏蔽性和力学性能。

技术领域

本发明涉及屏蔽膜技术领域，具体为一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜及其制备方法。

背景技术

随着信息化、智能化社会的发展，消费电子产品、汽车电子产品、通信产品等行业发展迅速，使得电子信息产业链逐渐成为了国民经济的战略性和先导性支柱产业。而单子产品中是以电磁波为信息传递的介质，电磁波的泄露对电子设备正常工作运行带来干扰；同时，随着行业发展规模的扩大，地面上的电磁辐射大幅度增加，严重时会直接威胁人体健康的程度；这也促使了电磁屏蔽膜的飞速发展。

另一方面，石墨烯材料具有优异的光学和电学性能，在各行各业均具有重要应用前景。因此降低用于电磁屏蔽功能得到了广泛研究。但是现有工艺中，石墨烯由于存在方块电阻问题，电磁屏蔽功能较低，应用领域受限；同时，石墨烯使用后会造成透光率下降，极大地限制了实际使用价值。此外，由于分散性不佳会造成性能下降，而加入大量分散剂促进无机离子的分散，也会造成性能下降，如何平衡会解决时目前的难点之一。

综上所述，解决上述问题，制备一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜具有重要意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1：以聚对苯二甲酸乙二醇酯为基膜，将其电晕处理；得到预处理基膜；

步骤S2：将预处理基膜表面旋涂磁性石墨烯溶液，第一次处理；旋涂银纳米线溶液，第二次处理；旋涂氧化石墨烯溶液，第三次处理；循环“第一次处理-第三次处理”2～4次；置于丙酮溶液中浸渍；洗涤、干燥；得到石墨烯屏蔽薄膜。

较为优化地，步骤S1中，所述电晕处理的工艺参数为：电压为8～10V，电流频率为30～40KHz。

较为优化地，步骤S2中，所述第一次处理过程中：在旋涂速度为1500～2000rpm下，将磁性石墨烯溶液旋涂20～30秒；旋涂后，置于强度为90～95mT的磁场中2分钟；在90～100℃下干燥10～15分钟。

较为优化地，所述磁性石墨烯溶液的组分包括0.04～0.05mg/mL的磁性石墨烯和0.2～0.25mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化铵。

较为优化地，所述磁性石墨烯的制备过程为：按照质量比为1:2的质量比称取氧化石墨烯和三氯化铁；将氧化石墨烯超声分散在水中，加入三氯化铁搅拌均匀；加入氢氧化铵搅拌1～2小时，静置过夜；洗涤干燥，在750～800℃下煅烧2～3小时，得到磁性石墨烯。

较为优化地，步骤S2中，所述第二次处理过程中：在旋涂速度为3000～4000rpm下，将银纳米线溶液旋涂60～100秒；旋涂后，在60～80℃干燥箱中干燥10～15分钟；置于硼氢化钠溶液中洗涤，氮气干燥。