[发明专利]一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤S1：以聚对苯二甲酸乙二醇酯为基膜，将其电晕处理；得到预处理基膜；

步骤S2：将预处理基膜表面旋涂磁性石墨烯溶液，旋涂后置于强度为90~95mT的磁场中2分钟，干燥，第一次处理；旋涂银纳米线溶液，旋涂后干燥，置于硼氢化钠溶液中洗涤，干燥，第二次处理；旋涂氧化石墨烯溶液，旋涂后氮气干燥，第三次处理；循环“第一次处理-第三次处理”2~4次；置于丙酮溶液中浸渍；洗涤、干燥；得到石墨烯屏蔽薄膜；

所述磁性石墨烯溶液的组分包括0.04~0.05mg/mL的磁性石墨烯和0.2~0.25mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化铵；

所述磁性石墨烯的制备过程为：按照质量比为1:2的质量比称取氧化石墨烯和三氯化铁；将氧化石墨烯超声分散在水中，加入三氯化铁搅拌均匀；加入氢氧化铵搅拌1~2小时，静置过夜；洗涤干燥，在750~800℃下煅烧2~3小时，得到磁性石墨烯；

所述银纳米线溶液的组分中包括0.15~0.16mg/mL的银纳米线、0.04~0.05mg/mL的纳米四氧化三铁、0.2~0.25mg/mL的十二烷基苯磺酸钠和0.55~0.6mg/mL的聚乙烯吡咯烷酮；所述硼氢化钠溶液是以体积比1:1的去离子水和乙醇的混合溶液为溶剂，以硼氢化钠为溶质，浓度为0.2~0.4mol/L；硼氢化钠洗涤的时间为1~2分钟；

所述氧化石墨烯溶液的组分中包括0.04~0.05mg/mL的氧化石墨烯、0.1~0.15mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化铵。

2.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述电晕处理的工艺参数为：电压为8~10V，电流频率为30~40KHz。

3.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述第一次处理过程中：在旋涂速度为1500~2000rpm下，将磁性石墨烯溶液旋涂20~30秒；旋涂后，置于强度为90~95mT的磁场中2分钟；在90~100℃下干燥10~15分钟。

4.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述第二次处理过程中：在旋涂速度为3000~4000rpm下，将银纳米线溶液旋涂60~100秒；旋涂后，在60~80℃干燥箱中干燥10~15分钟；置于硼氢化钠溶液中洗涤，氮气干燥。

5.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述第三次处理过程中，在旋涂速度为1500~2000rpm下，将氧化石墨烯溶液旋涂30~60秒；旋涂后氮气干燥。

6.根据权利要求1~5任一项所述的一种抗电磁干扰的石墨烯屏蔽薄膜的制备方法制备得到的石墨烯屏蔽薄膜，其特征在于：所述石墨烯屏蔽薄膜依次包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、磁性石墨烯层、银纳米线层、氧化石墨烯层。