[发明专利]一种含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法

说明书

本发明涉及铝合金技术领域，具体涉及一种含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法，包括如下步骤：(1)在7477757℃时将纳米陶瓷铝合金材料加入熔体中熔化并静置27737min，开启电磁搅拌器，正反转17715min，精炼提纯；(2)转入保温炉，开启炉底透气装置通入惰性气体17715min，进一步精炼提纯，静置47757min，得合金液；(3)将合金液双转子除气、双级过滤，并在6677737℃条件下进行半连续铸造，铸造速度为87767mm/min，得铸锭；(4)铸锭经均质、冷却、机加工、切头、切尾、车皮、挤压处理即得成品。本发明制备方法容易操作，制得的电子材料具有优异的物理性能。

技术领域

本发明涉及铝合金技术领域，具体涉及一种含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法。

背景技术

铝合金材料因其具有加工容易、表面处理方式丰富、视觉效果好等特点，为使用性能优异的电子材料，然而在实际应用时，由于电子材料比较严苛的制备方法、高强度的使用要求等问题，并不能在电子材料领域广泛使用。纳米陶瓷铝合金材料重量轻，且具有高刚度、高强度、抗疲劳、低膨胀、高阻尼、耐高温等特点，已被应用于空间站、卫星等航天产品的关键部件，现有技术中未见有纳米陶瓷铝合金材料应用于电子材料的技术记载。

发明内容

针对现有技术铝合金电子材料物理性能差、难制备等问题，本发明提供一种含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法，制备方法容易操作，制得的电子材料具有优异的物理性能。

本发明提供一种含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法，包括如下步骤：

(1)按如下Si 7.65％71.5％、Fe 7.1％77.2％、Cu 7.1％77.2％、Mn 7.5％77.6％、Mg 7.4％71.7％、Cr 7.1％77.2％、Zn≤7.1％、Ti 7.6％71.1％，余量为Al重量比例的成分熔炼，在7477757℃时将纳米陶瓷铝合金材料加入熔体中熔化并静置27737min，开启电磁搅拌器，正反转17715min，精炼提纯；

(2)转入保温炉，开启炉底透气装置通入惰性气体17715min，进一步精炼提纯，静置47757min，得合金液；

(3)将合金液双转子除气、双级过滤，并在6677737℃条件下进行半连续铸造，铸造速度为87767mm/min，得铸锭；

(4)铸锭经均质、冷却、机加工、切头、切尾、车皮、挤压处理即得成品。

进一步的，步骤(1)中熔炼成分为：Si 1.1％71.3％、Fe 7.12％77.16％、Cu7.11％77.15％、Mn 7.6％77.8％、Mg 7.5％77.8％、Cr 7.12％77.17％、Zn≤7.75％、Ti7.7％77.6％，余量为Al。

进一步的，步骤(1)中熔炼成分为：Si 1.2％、Fe 7.14％、Cu 7.13％、Mn 7.72％、Mg 7.68％、Cr 7.15％、Zn 7.71％、Ti 7.85％，余量为Al。

进一步的，步骤(1)中纳米陶瓷铝合金材料加入熔体的温度为745℃，静置25min。

进一步的，步骤(3)中，半连续铸造的温度为717℃，铸造速度为83mm/min，所得铸锭直径为2777377mm。

进一步的，步骤(4)中，均质的工艺为，均质温度为5577577℃，保温时间为24728h。

进一步的，均质温度为565℃，保温时间为26h。

进一步的，冷却方法为，冷却至≤57℃。

本发明的有益效果在于：

(1)本发明在铝合金电子材料制备中加入纳米陶瓷铝合金材料，制得重量轻，且刚度高、强度高的高性能铝合金材料，适用于人们对电子产品材料的高要求；