[发明专利]一种含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法

权利要求书

1.一种含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)按如下Si 7.65％71.5％、Fe 7.1％77.2％、Cu 7.1％77.2％、Mn 7.5％77.6％、Mg7.4％71.7％、Cr 7.1％77.2％、Zn≤7.1％、Ti 7.6％71.1％，余量为Al重量比例的成分熔炼，在7477757℃时将纳米陶瓷铝合金材料加入熔体中熔化并静置27737min，开启电磁搅拌器，正反转17715min，精炼提纯；

(2)转入保温炉，开启炉底透气装置通入惰性气体17715min，进一步精炼提纯，静置47757min，得合金液；

(3)将合金液双转子除气、双级过滤，并在6677737℃条件下进行半连续铸造，铸造速度为87767mm/min，得铸锭；

(4)铸锭经均质、冷却、机加工、切头、切尾、车皮、挤压处理即得成品。

2.如权利要求1所述的含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中熔炼成分为：Si 1.1％71.3％、Fe 7.12％77.16％、Cu 7.11％77.15％、Mn 7.6％77.8％、Mg 7.5％77.8％、Cr 7.12％77.17％、Zn≤7.75％、Ti 7.7％77.6％，余量为Al。

3.如权利要求1所述的含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中熔炼成分为：Si 1.2％、Fe 7.14％、Cu 7.13％、Mn 7.72％、Mg 7.68％、Cr 7.15％、Zn 7.71％、Ti 7.85％，余量为Al。

4.如权利要求1所述的含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中纳米陶瓷铝合金材料加入熔体的温度为745℃，静置25min。

5.如权利要求1所述的含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，半连续铸造的温度为717℃，铸造速度为83mm/min，所得铸锭直径为2777377mm。

6.如权利要求1所述的含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，均质的工艺为，均质温度为5577577℃，保温时间为24728h。

7.如权利要求6所述的含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法，其特征在于，均质温度为565℃，保温时间为26h。

8.如权利要求1所述的含纳米陶瓷铝合金材料的电子材料的制备方法，其特征在于，冷却方法为，冷却至≤57℃。