[发明专利]发声器件和音频设备在审

专利信息
申请号: 202210468719.2 申请日: 2022-04-29
公开(公告)号: CN114866918A 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 王苗苗;郭晓冬;张成飞 申请(专利权)人: 歌尔股份有限公司
主分类号: H04R9/02 分类号: H04R9/02;H04R9/04
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 赵燕燕
地址: 261031 山东省潍*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 发声 器件 音频设备
【说明书】:

发明公开一种发声器件和音频设备,其中,发声器件包括导磁板、第一磁路结构、第二磁路结构、高音振膜、高音音圈、低音振膜和低音音圈;第一磁路结构设于导磁板,第一磁路结构包括中心磁路和堆叠于中心磁路的辅助磁路,中心磁路和辅助磁路之间形成收容空间,辅助磁路设有连通收容空间的连通孔,中心磁路形成有高音磁间隙;第二磁路结构设于导磁板,并间隔环设于第一磁路结构外,第二磁路结构和第一磁路结构之间形成有低音磁间隙;高音振膜和高音音圈收容于收容空间,高音音圈对应高音磁间隙设置,低音音圈对应低音磁间隙设置,低音振膜的中心设有出音孔。本发明技术方案提升发声器件的低音磁路的电力转换效率,以提升音频设备的声学性能。

技术领域

本发明涉及电声转换技术领域,特别涉及一种发声器件和音频设备。

背景技术

发声器件是音频设备中的重要声学部件,是一种把电信号转变为声信号的换能器件,音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今,市场越来越追求全频段音质,为满足全频段音质,涌现出很多高低音单元结合的多单元音频设备,即一个音频设备中同时放置有高音单元和低音单元。然而,在现有的多单元音频设备中,多个发声单元占用较多的物理空间,且低音单元的磁路的转换效率低,导致音频设备的声学性能不理想,给用户带来了不好的使用体验。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种发声器件,旨在减小发声器件的尺寸的同时提升发声器件的低音磁路的转换效率,以提升音频设备的声学性能。

为实现上述目的,本发明提出的发声器件,包括:

导磁板;

第一磁路结构,设于所述导磁板,所述第一磁路结构包括中心磁路和堆叠于所述中心磁路的辅助磁路,所述中心磁路和所述辅助磁路之间形成收容空间,所述辅助磁路设有连通所述收容空间的连通孔,所述中心磁路形成有高音磁间隙,所述辅助磁路包括沿轴向依次堆叠于所述中心磁路的第一辅助磁体、辅助华司和第二辅助磁体;

第二磁路结构,设于所述导磁板,并间隔环设于所述第一磁路结构外,所述第二磁路结构和所述第一磁路结构之间形成有低音磁间隙;

高音振膜、高音音圈,收容于所述收容空间,所述高音音圈设于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧,并对应所述高音磁间隙设置;以及

低音振膜、低音音圈,所述低音音圈位于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧,并对应所述低音磁间隙设置,所述低音振膜的中心设有出音孔,所述出音孔和所述连通孔相对设置。

可选地,所述中心磁路包括设于所述导磁板的第一磁体、环设于所述第一磁体外的第二磁体,以及分别设于所述第一磁体和所述第二磁体的第一华司和第二华司,所述第一华司和所述第二华司之间形成所述高音磁间隙,所述第二磁路结构包括边磁体和设于边磁体远离所述导磁板一侧的边华司,所述边华司和所述辅助华司之间形成所述低音磁间隙。

可选地,所述第一辅助磁体和所述边磁体的充磁方向相反,所述第一辅助磁体和所述第二辅助磁体的充磁方向相反,所述第二磁体和所述第一辅助磁体的充磁方向相同,所述第一磁体和所述第二磁体的充磁方向相反。

可选地,所述第二华司的背离所述第二磁体的一侧凸设置有第一安装环,所述第一辅助磁体连接于所述第一安装环,所述高音振膜和所述高音音圈收容于所述第一辅助磁体和所述第二华司之间。

可选地,所述第二华司的背离所述第二磁体的一侧还设置有第二安装环,所述第二安装环较所述第一安装环更靠近所述第二磁体,所述高音振膜的外周固接于所述第二安装环。

可选地,所述高音振膜设置为平面结构。

可选地,所述高音振膜包括平面振动部和环设于所述平面振动部的折环。

可选地,所述发声器件还包括外壳,所述低音振膜位于所述辅助磁路的远离所述高音振膜的一侧,所述低音振膜的外周连接于所述外壳,所述低音振膜的内周连接于所述第二辅助磁体。

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