[发明专利]发声器件和音频设备

权利要求书

1.一种发声器件，其特征在于，包括：

导磁板；

第一磁路结构，设于所述导磁板，所述第一磁路结构包括中心磁路和堆叠于所述中心磁路的辅助磁路，所述中心磁路和所述辅助磁路之间形成收容空间，所述辅助磁路设有连通所述收容空间的连通孔，所述中心磁路形成有高音磁间隙，所述辅助磁路包括沿轴向依次堆叠于所述中心磁路的第一辅助磁体、辅助华司和第二辅助磁体；

第二磁路结构，设于所述导磁板，并间隔环设于所述第一磁路结构外，所述第二磁路结构和所述第一磁路结构之间形成有低音磁间隙；

高音振膜、高音音圈，收容于所述收容空间，所述高音音圈设于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述高音磁间隙设置；以及

低音振膜、低音音圈，所述低音音圈位于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述低音磁间隙设置，所述低音振膜的中心设有出音孔，所述出音孔和所述连通孔相对设置。

2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述中心磁路包括设于所述导磁板的第一磁体、环设于所述第一磁体外的第二磁体，以及分别设于所述第一磁体和所述第二磁体的第一华司和第二华司，所述第一华司和所述第二华司之间形成所述高音磁间隙，所述第二磁路结构包括边磁体和设于边磁体远离所述导磁板一侧的边华司，所述边华司和所述辅助华司之间形成所述低音磁间隙。

3.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述第一辅助磁体和所述边磁体的充磁方向相反，所述第一辅助磁体和所述第二辅助磁体的充磁方向相反，所述第二磁体和所述第一辅助磁体的充磁方向相同，所述第一磁体和所述第二磁体的充磁方向相反。

4.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述第二华司的背离所述第二磁体的一侧凸设置有第一安装环，所述第一辅助磁体连接于所述第一安装环，所述高音振膜和所述高音音圈收容于所述第一辅助磁体和所述第二华司之间。

5.如权利要求4所述的发声器件，其特征在于，所述第二华司的背离所述第二磁体的一侧还设置有第二安装环，所述第二安装环较所述第一安装环更靠近所述第二磁体，所述高音振膜的外周固接于所述第二安装环。

6.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述高音振膜设置为平面结构；或，所述高音振膜包括平面振动部和环设于所述平面振动部的折环。

7.如权利要求1至6任一项所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括外壳，所述低音振膜位于所述辅助磁路的远离所述高音振膜的一侧，所述低音振膜的外周连接于所述外壳，所述低音振膜的内周连接于所述第二辅助磁体。

8.如权利要求1至6任一项所述的发声器件，其特征在于，所述辅助磁路的边缘尺寸不超出所述中心磁路的边缘尺寸。

9.如权利要求1至6任一项所述的发声器件，其特征在于，所述低音振膜包括由外至内依次相连的外折环、振动部和内折环，所述低音音圈设于所述振动部，所述第二辅助磁体在所述低音振膜的振动方向的投影面积小于所述内折环在所述低音振膜的振动方向的投影面积。

10.如权利要求9所述的发声器件，其特征在于，所述第二辅助磁体设有避让所述内折环的避让部。

11.如权利要求9所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括连接件，所述连接件设于所述第二辅助磁体的远离所述导磁板的一侧，所述连接件设置有相对所述连通孔的避让孔，所述低音振膜的内周连接于所述连接件。

12.如权利要求11所述的发声器件，其特征在于，所述连接件还具有向所述连通孔内凸设的延伸部，所述避让孔形成于所述延伸部；

和/或，所述连接件上还设有覆盖所述避让孔的防尘网。

13.一种音频设备，其特征在于，包括权利要求1至12任一项所述的发声器件。

14.如权利要求13所述的音频设备，其特征在于，所述音频设备为耳机。