[发明专利]数据读写方法、装置、电子设备及车辆

说明书

本申请涉及一种数据读写方法、装置、电子设备及车辆，涉及数据读写技术领域，该数据读写方法包括从静态随机存取存储器中获取目标参数数据和目标存储地址；调用带电可擦可编程只读存储器的写入函数，根据目标存储地址，将目标参数数据写入带电可擦可编程只读存储器；若目标参数数据写入带电可擦可编程只读存储器失败，则获取新存储地址；以及调用带电可擦可编程只读存储器的写入函数，根据新存储地址，将目标参数数据写入带电可擦可编程只读存储器。该数据读写方法、装置、电子设备及车辆可以保证EEPROM中的数据正确，提高EEPROM数据的读写可靠性。

技术领域

本申请涉及数据读写技术领域，具体涉及一种数据读写方法、装置、电子设备及车辆。

背景技术

带电可擦可编程只读存储器(EEPROM)是一种掉电后数据不丢失的存储芯片，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。静态随机存取存储器(SRAM)是随机存取存储器的一种，这种存储器只要保持通电，里面储存的数据可以恒常保持。EEPROM与SRAM之间可以实现数据读写交互，调用EEPROM的读取函数可以将EEPROM中的数据写入到SRAM中，调用EEPROM的写入函数可以将SRAM中的数据写入EEPROM。现有技术中，在将数据写入EEPROM的过程中，由于数据的存储地址无法变更，如果数据写入失败，那么会导致EEPROM存储地址中的数据不能被写成欲写入的数据，从而导致在后续数据传输过程中，无法从EEPROM中读取出正确的数据，使得EEPROM数据的读写可靠性降低。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请的实施例提供了一种数据读写方法、装置、电子设备及车辆，其可以保证EEPROM中的数据正确，提高EEPROM数据的读写可靠性。

根据本申请的一个方面，提供了一种数据读写方法，包括：

从静态随机存取存储器中获取目标参数数据和目标存储地址；

调用带电可擦可编程只读存储器的写入函数，根据所述目标存储地址，将所述目标参数数据写入所述带电可擦可编程只读存储器；

若所述目标参数数据写入所述带电可擦可编程只读存储器失败，则获取新存储地址；其中，所述新存储地址表征所述带电可擦可编程只读存储器中未使用的存储区域；以及

调用所述带电可擦可编程只读存储器的写入函数，根据所述新存储地址，将所述目标参数数据写入所述带电可擦可编程只读存储器。

根据本申请的一个方面，所述静态随机存取存储器包括参数地址索引缓存数组、参数地址索引数据区以及参数地址索引备份区；其中，所述目标存储地址存于所述参数地址索引缓存数组中；所述带电可擦可编程只读存储器包括参数地址索引存储区；

在所述调用带电可擦可编程只读存储器的写入函数，根据所述新存储地址，将所述目标参数数据写入所述带电可擦可编程只读存储器之后，所述数据读写方法还包括：

将所述新存储地址写入所述参数地址索引缓存数组中，以覆盖所述目标存储地址；

生成第一地址校验码；以及

将所述新存储地址和所述第一地址校验码写入所述参数地址索引数据区和所述参数地址索引备份区中；

调用所述带电可擦可编程只读存储器的写入函数，从所述参数地址索引数据区和/或所述参数地址索引备份区中读取所述新存储地址和所述第一地址校验码，并将所述新存储地址和所述第一地址校验码写入所述参数地址索引存储区。

根据本申请的一个方面，在所述调用带电可擦可编程只读存储器的写入函数，根据所述目标存储地址，将所述目标参数数据写入所述带电可擦可编程只读存储器之后，所述数据读写方法还包括：

读取已写入所述带电可擦可编程只读存储器的所述目标参数数据；以及