[发明专利]基于激光激发的稀土离子掺杂荧光粉和晶体制备方法在审
| 申请号: | 202210460513.5 | 申请日: | 2022-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN114806567A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
| 发明(设计)人: | 包诠真;白云峰 | 申请(专利权)人: | 长江师范学院 |
| 主分类号: | C09K11/78 | 分类号: | C09K11/78;B29C64/135;B29C64/268;B33Y10/00;B33Y30/00;B33Y70/00 |
| 代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 张乙山 |
| 地址: | 408100 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 激光 激发 稀土 离子 掺杂 荧光粉 晶体 制备 方法 | ||
1.基于激光激发的稀土离子掺杂荧光粉制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:获取用于制备荧光粉的稀土离子掺杂原材料;
S2:通过溶胶燃烧法将稀土离子掺杂原材料制备成稀土离子掺杂预制材料;
S3:通过激光照射稀土离子掺杂预制材料;
S4:逐步增大激光的激光功率,直至稀土离子掺杂预制材料燃烧并产生荧光粉,进而得到稀土离子掺杂荧光粉。
2.如权利要求1所述的基于激光激发的稀土离子掺杂荧光粉制备方法,其特征在于:步骤S3中,通过980nm红外激光器发射红外激光照射稀土离子掺杂预制材料。
3.如权利要求1所述的基于激光激发的稀土离子掺杂荧光粉制备方法,其特征在于:步骤S4中,逐步增大激光的激光功率至稀土离子掺杂预制材料表面的功率密度位于5W/mm2至16W/mm2之间,使得稀土离子掺杂预制材料燃烧并产生荧光粉。
4.如权利要求1所述的基于激光激发的稀土离子掺杂荧光粉制备方法,其特征在于:步骤S4中,稀土离子掺杂原材料中稀土离子的浓度越高,激光致使稀土离子掺杂预制材料燃烧并产生荧光粉所需的激光功率越低;稀土离子掺杂原材料中稀土离子的浓度越低,激光致使稀土离子掺杂预制材料燃烧并产生荧光粉所需的激光功率越高。
5.基于激光激发的稀土离子掺杂晶体制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
A1:将稀土离子掺杂荧光粉作为晶体原材料;
A2:通过激光照射稀土离子掺杂荧光粉;
A3:逐步增大激光的激光功率至稀土离子掺杂荧光粉中产生高温所致的黑体辐射,然后保持当前激光功率持续照射特定时长,以在稀土离子掺杂荧光粉中产生晶体,进而得到稀土离子掺杂晶体。
6.如权利要求5所述的基于激光激发的稀土离子掺杂晶体制备方法,其特征在于:步骤A2中,通过980nm红外激光器发射红外激光照射稀土离子掺杂荧光粉。
7.如权利要求5所述的基于激光激发的稀土离子掺杂晶体制备方法,其特征在于:步骤A3中,逐步增大激光的激光功率至16W/mm2以上,使得稀土离子掺杂荧光粉中产生高温所致的黑体辐射。
8.如权利要求5所述的基于激光激发的稀土离子掺杂晶体制备方法,其特征在于:步骤A3中,稀土离子掺杂荧光粉中稀土离子的浓度越高,激光致使稀土离子掺杂荧光粉中产生高温所致的黑体辐射所需的激光功率越低;稀土离子掺杂荧光粉中稀土离子的浓度越低,激光致使稀土离子掺杂荧光粉中产生高温所致的黑体辐射所需的激光功率越高。
9.如权利要求5所述的基于激光激发的稀土离子掺杂晶体制备方法,其特征在于:步骤A3中,特定时长设置为5s以上。
10.基于激光激发的3D打印方法,其特征在于:基于权利要求5中基于激光激发的稀土离子掺杂晶体制备方法实施,具体包括以下步骤:
B1:将稀土离子掺杂荧光粉作为3D打印材料;
B2:通过激光照射3D打印材料;
B3:逐步增大激光的激光功率至3D打印材料中产生高温所致的黑体辐射,然后保持当前激光功率持续照射特定时长,以在3D打印材料中产生晶体;
B4:调整激光照射3D打印材料的位置和角度,并重复步骤B3,直至完成3D打印。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江师范学院,未经长江师范学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210460513.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





