[发明专利]一种多角度低色差颜色膜及其制备方法

权利要求书

1.一种光学颜色膜，其特征在于，包括：所述颜色膜包括基底、与基底接触的过渡层、中间多层膜、保护膜；

所述中间多层膜为氢化非晶硅与高折射率材料和/或低折射率材料分别沉积的单材料层以一定顺序交替堆叠而成；所述中间多层膜包括氢化非晶硅层。

2.根据权利要求1所述的颜色膜，其特征在于，所述高折射率材料为折射率高于标准BK7玻璃折射率的材料，优选地，所述高折射率材料选自TiO₂、Nb₂O₅、ZrO₂、Si₃N₄中的一种或多种；所述低折射率材料为折射率接近或低于相对标准BK7玻璃折射率低或接近的材料，优选地，所述低折射率材料选自SiO₂、MgF₂等中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的颜色膜，其特征在于，所述中间多层膜的层数为3～13层，优选为7-9层；氢化非晶硅的层数为1～7，优选为3-4层；

每层膜的厚度为10-200nm，优选为10-140nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的颜色膜，其特征在于，所述颜色膜的总厚度小于1微米，优选地，所述颜色膜的总厚度小于900nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的颜色膜，其特征在于，所述基底为不锈钢、玻璃、陶瓷中的一种或多种。

6.根据权利要求1-5任一项所述的颜色膜，其特征在于，所述过渡层的材料为SiO₂、Nb₂O₅、Si₃N₄、二氧化钛、二氧化锆中的一种或多种，优选为Nb₂O₅或SiO₂；

所述过渡层的厚度为10-200nm，优选为20-40nm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的颜色膜，其特征在于，所述保护膜为二氧化硅、氮化硅、氧化铝或五氧化二铌中的一种或多种，优选为五氧化二铌；所述保护膜的厚度为100-200nm，优选为160-190nm。

8.权利要求1-7任一项所述颜色膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一基体，并对基体进行预处理；

S2、提供一磁控溅射镀膜机，并对所述镀膜机进行预处理；

S3、将所述基体装入所述镀膜机，然后对所述基体进行离子源清洗；

S4、采用磁控溅射法，依次制备所述过镀膜、所述多层膜和所述保护膜；

优选地，在所述步骤S1中，所述预处理为超声波清洗；在所述步骤S2中，所述预处理为循环氢气处理，其中所述处理步骤通入的气体为氢气和氩气的混合气。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法选自直流磁控溅射法、高功率脉冲磁控溅射法、中频磁控溅射法、射频磁控溅射法和反应磁控溅射法中的一种或多种。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4中，采用用硅靶制备所述氢化非晶硅，溅射功率6-12kW，总氩气流量800-1200sccm，总氢气流量30-60sccm，ICP离子源功率1500-4500W。