[发明专利]一种测试设备

说明书

本发明公开了一种测试设备。该测试设备包括：电源模块、电压跟随电路和信号电平转换电路，所述电压跟随电路的输入端与所述电源模块的输出端电连接，以接收所述电源模块提供的待测设备所需要的VDDIO电压，所述电压跟随电路的输出端与所述信号电平转换电路的电压输入端电连接，并且所述电压跟随电路的输出电压跟随输入的所述VDDIO电压的变化而变化。本发明通过对测试设备的硬件电路进行改进，在保证测试设备和待测设备之间建立IO通道通信的前提下，利用电压跟随电路跟随VDDIO电压给信号电平转换电路供电，使其不消耗原有VDDIO电压，对待测设备的电流、能耗等测量更为精准，且无需进行软件算法矫正。

技术领域

本申请涉及测试技术领域，更具体地，涉及一种测试设备。

背景技术

目前测试设备与待测产品进行测试时，通常需要对测试产品进行控制，使其进入各种不同的工作模式，并且往往同一台测试设备会兼容各种不同的待测设备。测试设备和待测设备之间通过IO通道建立通信的基本要求是测试设备和待测设备的IO供电电源电压都要相同，提供给待测设备的IO供电电源电压也称为VDDIO电压。待测设备的VDDIO电压是由测量设备提供的，测量设备中的MCU（控制芯片）的IO管脚输出通常是3.3V，也即标准的LVCMOS电平，但是待测设备所能接受的VDDIO电压一般小于3.3V，并且每种待测设备的VDDIO电压往往也不同，所以为了能使测试设备兼容各种产品，测试设备中都会内置信号电平转换电路，方便将IO控制信号转换成待测设备需要的VDDIO电压后再接入待测产品。

目前在针对手机内部各种模组或其他低功耗产品的检测时，还会测量待测设备内部IO模块电路的电流消耗。然而，在测量该值时存在VDDIO测试电流偏大的问题。以往测试设备针对VDDIO测试电流偏大的解决方式是产品完成后，再针对不同的待测产品进行后期软件标定校准或者借助其他的校准仪器进行辅助校准，来使测试设备VDDIO的实测电流功耗接近于0，这种后期校准的方式需要进行复杂的算法优化，并且可能会出现非线性的情况，例如设备在IO通信速率较低时，设备校准后VDDIO总电流几乎等于测试产品电流值，但是在IO通信速率较高时，电平转换电路自身消耗电流增大，这样测试产品的实际VDDIO电流就会与测试设备的测试值产生偏差，影响测试结果的判断。

发明内容

针对现有技术的至少一个缺陷或改进需求，本发明提供了一种测试设备，在保证测试设备和待测设备之间通过IO通道建立通信的前提下，对待测设备的电流、能耗等测量更为精准，且无需进行软件算法矫正。

为实现上述目的，本发明提供了一种测试设备，包括：电源模块、电压跟随电路和信号电平转换电路，所述电压跟随电路的输入端与所述电源模块的输出端电连接，以接收所述电源模块提供的待测设备所需要的VDDIO电压，所述电压跟随电路的输出端与所述信号电平转换电路的电压输入端电连接，并且所述电压跟随电路的输出电压跟随输入的所述VDDIO电压的变化而变化。

进一步地，测试设备还包括控制模块，所述信号电平转换电路的控制信号输入端与所述控制模块电连接。

进一步地，所述信号电平转换电路基于所述电压跟随电路的输出电压将所述控制模块输入的标准电平控制信号转换成待测设备所需电平的控制信号后输出给待测设备。

进一步地，所述电压跟随电路包括运算放大器和N沟道MOS管，所述运算放大器的同相输入端与所述电源模块的输出端电连接，以接收所述电源模块提供的VDDIO电压，所述运算放大器的输出端与所述N沟道MOS管的栅极电连接，所述N沟道MOS管的漏极用于输入预设幅值的激励电压，所述N沟道MOS管的源极与所述运算放大器的反相输入端电连接。

进一步地，所述电压跟随电路包括运算放大器和NPN三极管，所述运算放大器的同相输入端与所述电源模块的输出端电连接，以接收所述电源模块提供的VDDIO电压，所述运算放大器的输出端与所述三极管的基极电连接，所述NPN三极管的集电极用于输入预设幅值的激励电压，所述NPN三极管的射极与所述运算放大器的反相输入端电连接。