[发明专利]一种单晶硅片色差改善方法、系统、存储介质及电子设备

说明书

本发明提供了一种单晶硅片色差改善方法、系统、存储介质及电子设备。该方案包括提取当前的供回线周期、切割方向和切割位置，计算色差指数；获得当前的收线速度、放线速度和切割张力，实时进行动作风险指数和硅棒断线位置计算；获取色差指数，根据实测数据值更新色差指数，计算新供回线周期、新切割方向、新切割位置、收线速度指数更新值、放线速度指数更新值和切割张力更新值；根据硅棒断线位置，平整并剪断钢丝；设置钢丝控制参数；获取收线速度指数更新值、放线速度指数更新值和切割张力更新值，进行自动的收放钢丝线控制。该方案通过在晶棒切割过程中，自动调整学习和调整周期位置、切割方向及位置，改善单晶硅片色差，提升硅片质量。

技术领域

本发明涉及光伏切割技术领域，更具体地，涉及一种单晶硅片色差改善方法、系统、存储介质及电子设备。

背景技术

随着全世界范围内对于碳排放的控制，新能源产业也在快速的发展。其中，光伏产业作为清洁能源的主力，发展迅速。硅片切割是光伏产业链中重要的一环。线切割技术的加工效率高和材料利用率高，且具备适应大直径趋势的优点，已经成为硅单晶切片加工的主流方式，因此，现阶段硅片切割最多采用线切割技术。

在本发明技术之前，现有的线切割技术在实际加工中，由于多线切割加工过程本身的复杂性，切割过程中切割质量不稳定及断线事故发生率高等问题，造成了硅片表面出现色差带，造成硅片质量降低。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提出了一种单晶硅片色差改善方法、系统、存储介质及电子设备，通过在晶棒切割过程中，自动调整学习和调整周期位置、切割方向及位置，改善单晶硅片色差，提升硅片质量。

根据本发明实施例第一方面，提供一种单晶硅片色差改善方法。

在一个或多个实施例中，优选地，所述一种单晶硅片色差改善方法包括：

提取当前的供回线周期、切割方向和切割位置，计算色差指数；

获得当前的收线速度、放线速度和切割张力，实时进行动作风险指数和硅棒断线位置计算；

获取所述色差指数，根据实测数据值更新所述色差指数，计算新供回线周期、新切割方向、新切割位置、收线速度指数更新值、放线速度指数更新值和切割张力更新值；

根据所述硅棒断线位置，平整并剪断钢丝；

获取所述新供回线周期、所述新切割方向和所述新切割位置，设置钢丝控制参数；

获取所述收线速度指数更新值、所述放线速度指数更新值和所述切割张力更新值，进行自动的收放钢丝线控制。

在一个或多个实施例中，优选地，所述提取当前的供回线周期、切割方向和切割位置，计算色差指数，具体包括：

提取当前的供回线周期，作为供回线周期指数；

提取当前的切割方向，作为切割方向指数；

提取当前的切割位置，作为切割位置指数；

设置第一系数、第二系数、第三系数和第四系数；

利用第一计算公式计算实时所述色差指数；

所述第一计算公式为：

S＝k₁Z+k₂Q_F+k₃Q_W+k₄

其中，S为所述色差指数，k₁为第一系数，k₂为第二系数，k₃为第三系数，k₄为第四系数，Z为所述供回线周期指数，Q_F为所述切割方向指数，Q_W为所述切割位置指数。