[发明专利]一种单晶硅片色差改善方法、系统、存储介质及电子设备

权利要求书

1.一种单晶硅片色差改善方法，其特征在于，该方法包括：

提取当前的供回线周期、切割方向和切割位置，计算色差指数；

获得当前的收线速度、放线速度和切割张力，实时进行动作风险指数和硅棒断线位置计算；

获取所述色差指数，根据实测数据值更新所述色差指数，计算新供回线周期、新切割方向、新切割位置、收线速度指数更新值、放线速度指数更新值和切割张力更新值；

根据所述硅棒断线位置，平整并剪断钢丝；

获取所述新供回线周期、所述新切割方向和所述新切割位置，设置钢丝控制参数；

获取所述收线速度指数更新值、所述放线速度指数更新值和所述切割张力更新值，进行自动的收放钢丝线控制。

2.如权利要求1所述的一种单晶硅片色差改善方法，其特征在于，所述提取当前的供回线周期、切割方向和切割位置，计算色差指数，具体包括：

提取当前的供回线周期，作为供回线周期指数；

提取当前的切割方向，作为切割方向指数；

提取当前的切割位置，作为切割位置指数；

设置第一系数、第二系数、第三系数和第四系数；

利用第一计算公式计算实时所述色差指数；

所述第一计算公式为：

S＝k₁Z+k₂Q_F+k₃Q_W+k₄

其中，S为所述色差指数，k₁为第一系数，k₂为第二系数，k₃为第三系数，k₄为第四系数，Z为所述供回线周期指数，Q_F为所述切割方向指数，Q_W为所述切割位置指数。

3.如权利要求1所述的一种单晶硅片色差改善方法，其特征在于，所述获得当前的收线速度、放线速度和切割张力，实时进行动作风险指数和硅棒断线位置计算，具体包括：

提取当前的收线速度，作为收线速度指数；

提取当前的放线速度，作为放线速度指数；

提取当前的切割张力，作为切割张力指数；

利用第二计算公式计算每个位置时的动作风险指数；

利用第三计算公式提取所述硅棒断线位置；

所述第二计算公式为：

F＝k₅V_S+K₆V_F+k₇L_Z

其中，F为动作风险指数，V_S为所述收线速度指数，V_F为所述放线速度指数，L_Z为所述切割张力指数，k₅为第五系数，k₆为第六系数，k₇为第七系数；

所述第三计算公式为：

D＝MAx(F_x)

其中，D为所述硅棒断线位置，Max()为最大值动作风险提取函数。