[发明专利]多层电子组件在审
| 申请号: | 202210424008.5 | 申请日: | 2022-04-21 |
| 公开(公告)号: | CN116206896A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
| 发明(设计)人: | 朴彗眞;具本锡;金政民;崔弘济;姜炳宇;韩知惠;李相旭 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
| 主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/005 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 薛丞丞;何巨 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多层 电子 组件 | ||
1.一种多层电子组件,包括:
主体,包括介电层和多个内电极,所述多个内电极彼此堆叠,且所述介电层介于所述多个内电极之间;以及
外电极,设置在所述主体上,
其中,所述外电极包括:
第一电极层,连接到所述内电极;以及
第二电极层,设置在所述第一电极层上,并且包括导电部和树脂,所述导电部包含Ag-Sn合金,并且
在所述第二电极层的截面的至少一部分中,所述Ag-Sn合金的面积与所述导电部的面积的比率满足3%至50%。
2.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述导电部还包括多个金属颗粒和连接到所述多个金属颗粒的连接部,并且
所述Ag-Sn合金包含在所述连接部中。
3.根据权利要求2所述的多层电子组件,其中,所述连接部还包括第一金属间化合物。
4.根据权利要求3所述的多层电子组件,其中,所述第一金属间化合物包含Cu3Sn和Cu6Sn5中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的多层电子组件,其中,所述连接部的至少一部分与所述第一电极层的至少一部分直接接触。
6.根据权利要求1所述的多层电子组件,所述多层电子组件还包括界面层,所述界面层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间并且包含第二金属间化合物。
7.根据权利要求6所述的多层电子组件,其中,所述第二金属间化合物是Cu3Sn。
8.根据权利要求6所述的多层电子组件,其中,所述界面层具有多个岛的形状。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述导电部还包括第一金属间化合物。
10.根据权利要求9所述的多层电子组件,其中,所述第一金属间化合物包含Cu3Sn和Cu6Sn5中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件,所述多层电子组件还包括形成在所述第二电极层上的第三电极层。
12.根据权利要求11所述的多层电子组件,其中,所述第三电极层是顺序堆叠在所述第二电极层上的Ni镀层和Sn镀层。
13.根据权利要求2所述的多层电子组件,其中,所述多个金属颗粒包含Ag和涂覆Ag的Cu中的至少一种。
14.根据权利要求2所述的多层电子组件,其中,所述连接部包含Sn和Sn合金中的至少一种。
15.一种多层电子组件,包括:
主体,包括介电层和多个内电极,所述多个内电极彼此堆叠,且所述介电层介于所述多个内电极之间;以及
外电极,设置在所述主体上,
其中,所述外电极包括:
第一电极层,连接到所述内电极;以及
第二电极层,设置在所述第一电极层上,并且包括导电部和树脂,所述导电部包含Ag-Sn合金、含Sn的金属间化合物,
在所述第二电极层的截面的至少一部分中,所述Ag-Sn合金的面积与所述导电部的面积的比率满足3%至50%,并且
所述第二电极层的所述截面的至少一部分中的所述Ag-Sn合金和所述金属间化合物的总面积大于所述第一电极层的截面的至少一部分中的Ag-Sn合金和含Sn的金属间化合物的总面积。
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